[发明专利]平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法无效
申请号: | 201110174161.9 | 申请日: | 2011-06-27 |
公开(公告)号: | CN102280381A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 何宣仪;林俊安 | 申请(专利权)人: | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/77 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平坦 绝缘 方法 制作 具有 数组 | ||
1. 一种平坦化绝缘层的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,包含一第一表面以及一第二表面;
于该基板的该第一表面上形成至少一图案化金属层以及至少一绝缘层覆盖于该图案化金属层之上,其中该绝缘层具有一不平坦表面;
涂布一负光阻覆盖于该绝缘层之上;
于该基板的该第二表面进行一曝光制程,使未被该图案化金属层遮挡的该负光阻受到曝光,以及使被该图案化金属层遮挡的该负光阻不会受到曝光;
进行一显影制程以去除未受到曝光的该负光阻;
去除未被该负光阻覆盖的部分该绝缘层,使该绝缘层形成一平坦表面;以及
去除受到曝光的该负光阻。
2.根据权利要求第1项所述的平坦化绝缘层的方法,其特征在于,其中去除未被该负光阻覆盖的部分该绝缘层是利用一蚀刻制程。
3.根据权利要求第1项所述的平坦化绝缘层的方法,其特征在于,其中该图案化金属层包括一第一图案化金属层与一第二图案化金属层,该至少一绝缘层包括一第一绝缘层与一第二绝缘层,该第一绝缘层是位于该第一图案化金属层上,该第二图案化金属层是位于该第一绝缘层上,且该第二绝缘层是位于该第二图案化金属层上。
4.根据权利要求第3项所述的平坦化绝缘层的方法,其特征在于,其中该第一图案化金属层包括一闸极线与一闸极。
5.根据权利要求第3项所述的平坦化绝缘层的方法,其特征在于,其中该第二图案化金属层包括一数据线、一源极与一汲极。
6. 一种制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,包含一第一表面以及一第二表面;
于该基板的该第一表面上依序形成一第一图案化金属层、一第一绝缘层、一第二图案化金属层与一第二绝缘层,其中该第二绝缘层具有一不平坦表面;
涂布一负光阻覆盖于该第二绝缘层之上;
于该基板的该第二表面进行一曝光制程,使未被该第一图案化金属层与该第二图案化金属层遮挡的该负光阻受到曝光,以及使被该第一图案化金属层与该第二图案化金属层遮挡的该负光阻不会受到曝光;
进行一显影制程以去除未受到曝光的该负光阻;
去除未被该负光阻覆盖的部分该第二绝缘层,使该第二绝缘层形成一平坦表面;以及
去除受到曝光的该负光阻。
7.根据权利要求第6项所述的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,其中去除未被该负光阻覆盖的部分该第二绝缘层是利用一蚀刻制程。
8.根据权利要求第6项所述的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,其中该第一图案化金属层包括一闸极。
9.根据权利要求第6项所述的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,其中该第二图案化金属层包括一源极与一汲极。
10.根据权利要求第6项所述的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,另包括形成一共通电极以及一画素电极。
11.根据权利要求第10项所述的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,其中该共通电极是形成于该基板与该第一绝缘层之间,且该画素电极是形成于该第二绝缘层上。
12.根据权利要求第10项所述的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,其特征在于,其中该画素电极是形成于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间,且该共通电极是形成于该第二绝缘层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造