[发明专利]平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法无效
申请号: | 201110174161.9 | 申请日: | 2011-06-27 |
公开(公告)号: | CN102280381A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 何宣仪;林俊安 | 申请(专利权)人: | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/77 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平坦 绝缘 方法 制作 具有 数组 | ||
技术领域
本发明是关于一种平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,尤指一种利用图案画金属层做为光罩的平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)具有许多的优点,例如体积小、重量轻、省电等。因此,LCD渐渐取代传统的阴极射线管(CRT)而成为显示器的主流。LCD已经广泛地被应用于手提式计算机、行动电话等电子产品。然而,LCD仍存在需多缺点需要克服,诸如较窄的视角以及亮度不均等等的问题。
为了克服LCD视角较窄的问题,目前已发展出许多广视角技术。其中一种是利用横向电场效应的平面切换显示(in-plane switching, IPS)技术。IPS技术主要是将画素电极以及共通电极置于同一平面,让液晶分子的旋转方向维持在水平面上,以提升其视角。但因传统IPS LCD的开口率偏低,于是发展出边缘电场切换(fringe-field switching, FFS)技术以及平面至线切换(plane-to-line switching, PLS)技术两种LCD显示技术。由于FFS以及PLS显示技术皆是利用水平电场驱动液晶的转向与排列,因此特别容易受水平方向的外力影响。
请参考图1,图1为液晶显示器的数组基板的示意图。如图1所示,数组基板10包含一基板12、至少一图案化金属层14以及至少一绝缘层16覆盖于图案化金属层14之上。由图1可知,由于绝缘层16对应图案化金属层14的部分会因为图案化金属层14的厚度而形成突出区域a,因此会导致绝缘层16形成一不平坦表面h。此绝缘层16的不平坦表面h会影响后续利用刷磨(rubbing)方式形成的配向膜(图未示)的均匀性,也可能产生不均匀的水平电场,使液晶转动异常,进而造成显示上的暗纹或是水波纹。
发明内容
本发明的主要目的之一在于提供一种平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,以避免绝缘层具有不平坦表面而导致显示质量的降低。
为达上述目的,本发明提供一种平坦化绝缘层的方法,包括提供一基板,包含一第一表面以及一第二表面;于基板的第一表面上形成至少一图案化金属层以及至少一绝缘层覆盖于图案化金属层之上,其中绝缘层具有一不平坦表面;涂布一负光阻覆盖于绝缘层之上;于基板的第二表面进行一曝光制程,使未被图案化金属层的负光阻受到曝光,以及使被图案化金属层遮挡的负光阻不会受到曝光;进行一显影制程以去除未受到曝光的负光阻;去除未被负光阻覆盖的部分绝缘层,使绝缘层形成一平坦表面;以及去除受到曝光的负光阻。
此外,本发明提供一种制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,包括提供一基板,包含一第一表面以及一第二表面;于基板的第一表面上依序形成一第一图案化金属层、一第一绝缘层、一第二图案化金属层与一第二绝缘层,其中第二绝缘层具有一不平坦表面;涂布一负光阻覆盖于第二绝缘层之上;于基板的第二表面进行一曝光制程,使未被第一图案化金属层与第二图案化金属的负光阻受到曝光,以及使被第一图案化金属层与第二图案化金属层遮挡的负光阻不会受到曝光;进行一显影制程以去除未受到曝光的负光阻;去除未被负光阻覆盖的部分第二绝缘层,使第二绝缘层形成一平坦表面;以及去除受到曝光的负光阻。
根据本发明平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法,于基板的第二表面进行一曝光制程,并直接利用图案化金属层阻挡部分曝光光源,换言之,在本发明中图案化金属层可当作光罩,并在不增加额外制程的情况下控制曝光区域,并经由后续显影以及负光阻去除的程序以产生平坦化的绝缘层,以避免绝缘层具有不平坦表面而导致显示质量的降低。
附图说明
图1为数组基板之示意图。
图2至图7为本发明的一第一较佳实施例的平坦化绝缘层的方法的示意图。
图8至图13为本发明的一第二较佳实施例的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法的示意图。
图14为本发明的一第三较佳实施例的制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法的示意图。
【主要组件符号说明】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造