[发明专利]适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化方法有效
| 申请号： | 201110175014.3 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102254843A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;叶新民;王文源;袁昌发 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 封装 半导体 芯片 背面 金属化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、在硅片背面衬底的表面，先采用蒸发或溅射的方式镀上非贵金属铝或钛、铝或铬、铝，然后在300℃-400℃温度和N2或H2、6.5L/min气氛下进行合金，使非贵金属与硅进行合金形成粘附层；
步骤二、再在粘附层的表面采用蒸发或者溅射的方式依次镀上非贵金属钛、镍、锡铜合金或者钒、镍、锡铜合金或者铬、镍、锡铜合金形成阻挡层；
步骤三、最后再在阻挡层的表面采用蒸发或者溅射的方式镀上贵金属金，形成导电层。
2.根据权利要求1所述的一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化方法，其特征在于：所述步骤一中，钛、铝或铬、铝为金属复合层，所述步骤一非贵金属总厚度为：0.5微米至5微米。
3.根据权利要求1或2所述的一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化方法，其特征在于：所述步骤二中，各层金属厚度分别为：
钛或铬或钒：0.05微米至0.2微米；
镍：0.1微米至0.5微米；
锡铜合金：1微米至4微米；
所述步骤三中，金层的厚度为0.05-0.3微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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