[发明专利]绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法有效
| 申请号： | 201110175527.4 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102856352A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;田晓丽;卢烁今;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 终端 及其 制作方法 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，包括：
漂移区；
位于漂移区内的终端保护结构；
其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，还包括：
位于所述漂移区上、覆盖分压沟槽的场板。
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，所述场板为半绝缘多晶硅层。
4.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，所述场板包括：
下层的氧化硅层；
上层的金属层或半绝缘多晶硅层。
5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，所述分压沟槽内包括：
通过离子注入工艺在分压沟槽的底部及侧壁形成的轻掺杂区；
位于所述轻掺杂区上、沟槽内部的绝缘层。
6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，与主结相邻的分压沟槽的深度大于所述主结的深度。
7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，所述分压沟槽的数量为多个，且沿着主结指向截止环的方向所述多个分压沟槽的深度逐渐变浅、宽度逐渐变窄。
8.一种绝缘栅双极晶体管终端制作方法，其特征在于，包括：
采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；
在所述漂移区内形成终端保护结构；
其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述漂移区上形成覆盖分压沟槽的场板。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述漂移区内形成分压沟槽采用干法刻蚀工艺。
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