[发明专利]半导体器件刻蚀方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 201110176495.X | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102231362A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 刻蚀 方法 以及 | ||
1.一种半导体器件刻蚀方法，其特征在于包括：
第一光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上布置光致抗蚀剂；
第一图案形成步骤，用于利用第一掩膜对光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第一图案的光致抗蚀剂层；
第一刻蚀步骤，利用具有第一图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；
绝缘材料沉积步骤，用于在经过第一刻蚀步骤之后的半导体器件结构上沉积绝缘材料；
第二光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上再次布置光致抗蚀剂；
第二图案形成步骤，用于利用第二掩膜对第二光致抗蚀剂涂覆步骤所布置的光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第二图案的光致抗蚀剂层；
第二刻蚀步骤，利用具有第二图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；
其中，第一图案是多个平行的第一条纹，第二图案是多个平行的第二条纹，并且第一条纹与第二条纹相互垂直。
2.根据权利要求1所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，所述半导体器件刻蚀方法还包括在第一刻蚀步骤之后执行的清洗步骤，用于去除残余的光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，所述半导体器件刻蚀方法还包括在绝缘材料沉积步骤之后执行的化学研磨步骤，用于使沉积了绝缘材料的半导体器件表面变得平坦。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，其中在刻蚀层上布置了防反射涂层。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，其中在刻蚀层下布置了刻蚀阻止层。
6.根据权利要求1或2所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，其中第一条纹等间距布置。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，其中第二条纹等间距布置。
8.根据权利要求1或2所述的半导体器件刻蚀方法，其特征在于，其中第一条纹等间距布置，第二条纹等间距布置，并且第一条纹和第二条纹的宽度和间距都相等，并且，第一掩膜和第二掩膜是同一掩膜。
9.一种半导体器件，其特征在于采用了根据权利要求1至8之一所述的半导体器件刻蚀方法进行刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
