[发明专利]电压稳压器有效
申请号: | 201110176530.8 | 申请日: | 2011-06-28 |
公开(公告)号: | CN102255499A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H02M1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 稳压器 | ||
1.一种电压稳压器,至少包括:
第一电荷泵,在一电荷泵使能信号的控制下产生工作电压输出;
限幅电路,连接于该第一电荷泵的输出端与一外部读操作控制信号,以在该外部读操作开始信号的控制下,对该第一电荷泵输出的工作电压钳位;以及
启动/关闭控制电路,具有第一控制信号产生电路、第二控制信号产生电路及RS触发器,该第一控制信号产生电路连接于该第一电荷泵的输出端,以在该第一电荷泵的输出控制下产生第一控制信号,该第二控制信号产生电路连接于该第一电荷泵的输出端,以在该第一电荷泵的输出控制下产生第二控制信号,该第一控制信号与该第二控制信号通过该RS触发器产生该电荷泵使能信号。
2.如权利要求1所述的电压稳压器,其特征在于:该限幅电路包括第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管,该第一PMOS晶体管源极接该第一电荷泵的输出端,栅极接电源电压,漏极藕接至该第一NMOS晶体管的漏极,该第一NMOS晶体管栅极接该外部读操作开始信号,源极接地。
3.如权利要求1所述的电压稳压器,其特征在于:该第一控制信号产生电路包括第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器及第二反相器,其中,该第二NMOS晶体管栅漏相接并接至该第一电荷泵的输出端,源极接至该第二PMOS晶体管源极,该第二PMOS晶体管栅极接该电源电压,漏极接至该第三NMOS晶体管漏极与该第三PMOS晶体管栅极,该第三NMOS晶体管源极与该第四NMOS晶体管漏极相接,栅极与该第四NMOS晶体管共同接至该电源电压,该第四NMOS晶体管源极接地,该第三PMOS晶体管源极接该电源电压,漏极接至该第五NMOS晶体管的漏极与该第一反相器的输入端,该第五NMOS晶体管栅极接该电源电压,源极接地,该第一反相器的输出端接至该第二反相器的输入端,该第二反相器输出该第一控制信号。
4.如权利要求1所述的电压稳压器,其特征在于:该第二控制信号产生电路包括第四PMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第三反相器、第四反相器以及第五反相器,该第四PMOS晶体管源极接至该第一电荷泵的输出端,栅极接该电源电压,漏极藕接至该第六NMOS晶体管漏极,同时接至该第五PMOS晶体管的栅极,该第六NMOS晶体管源极接至该第七NMOS晶体管漏极,栅极与该第七NMOS晶体管栅极共同接至该电源电压,该第七NMOS晶体管源极接地,该第五PMOS晶体管源极接该电源电压,漏极藕接至该第八NMOS晶体管的漏极,并接至该第三反相器的输入端,该第八NMOS晶体管栅极接该电源电压,源极接地,该第三反相器的输出端接该第四反相器的输入端,该第四反相器的输出端接该第五反相器的输入端,该第五反相器的输出端输出该第二控制信号。
5.如权利要求1所述的电压稳压器,其特征在于:该第一电荷泵的输出端与地之间设置一电容。
6.如权利要求1所述的电压稳压器,其特征在于:该电源电压为低电压。
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