[发明专利]电压稳压器

说明书

技术领域

本发明涉及一种电压稳压器，特别是涉及一种用于供电电压为低电压情况下的电压调节电路。

背景技术

电荷泵是一种电容式电压变换器，可用以提升或降低电压，也可用以产生负电压。由于其电路简单且效率较高，广泛应用于单电源供电的集成电路中。例如，在电可擦可编程只读存储器(EEPROM)或闪存(Flash Memory)中，电荷泵将供电电压转换为高于供电电压的高电压信号，来驱动负载、EEPROM或Flash Memory的读写操作。

然而，由于电荷泵在无任何限制的条件下所产生的输出电压往往偏离于所需值，因此往往需要通过电压调节电路来获得较为稳定的输出电压。

图1为现有技术中一种电压稳压器的电路示意图。如图1所示，现有技术的电压稳压器包含第一电荷泵101、第二电荷泵102、第三电荷泵103、电压检测器104、PMOS晶体管P1及NMOS晶体管N1，其中，第一电荷泵101的输出端与PMOS晶体管P1漏极相连，PMOS晶体管P1栅极接地，漏极与NMOS晶体管N1漏极藕接，NMOS晶体管N1栅极接第二电荷泵102的输出端，源极输出读/写闪存的工作电压VD25，第三电荷泵103在读信号的控制下，输出端连接至NMOS晶体管N1的源极输出读/写闪存的工作电压VD25，电压检测器104通过检测第一电荷泵101的输出产生一使能信号PUMP EN反馈至第一电荷泵101及第二电荷泵102。

然而，现有技术的电压稳压器存在如下问题：1、电压检测器104比较复杂；2、现有技术为了防止电荷泵频繁启动，使用了高压电荷泵，此高压电荷泵需要使用一个耐压高的厚氧化层厚度t的MOS电容，而由于电容容量和t成反比，故同样电容量时该电容占用面积很大，由于使用了高压管，电荷泵的效率不高，消耗电流亦即待机电流较大。

综上所述，可知先前技术的电压稳压器电路存在电路复杂、占用面积大、效率不高以及待机电流大的问题，因此，实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。

发明内容

为克服上述现有技术稳压器电路存在电路复杂、占用面积大、效率不高以及待机电流大的问题，本发明的主要目的在于提供一种电压稳压器，其不仅适用于供电电压为低电压的情况，而且具有电路简单，占用面积小、待机电流小及效率高的优点。

为达上述及其它目的，本发明一种电压稳压器，至少包括：

第一电荷泵，在一电荷泵使能信号的控制下产生工作电压输出；

限幅电路，连接于该第一电荷泵的输出端与一外部读操作控制信号，以在该外部读操作开始信号的控制下，对该第一电荷泵输出的工作电压钳位；以及

启动/关闭控制电路，具有第一控制信号产生电路、第二控制信号产生电路及RS触发器，该第一控制信号产生电路连接于该第一电荷泵的输出端，以在该第一电荷泵的输出控制下产生第一控制信号，该第二控制信号产生电路连接于该第一电荷泵的输出端，以在该第一电荷泵的输出控制下产生第二控制信号，该第一控制信号与该第二控制信号通过该RS触发器产生该电荷泵使能信号。

进一步地，该限幅电路包括第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管，该第一PMOS晶体管源极接该第一电荷泵的输出端，栅极接电源电压，漏极藕接至该第一NMOS晶体管的漏极，该第一NMOS晶体管栅极接该外部读操作开始信号，源极接地。

进一步地，该第一控制信号产生电路包括第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器及第二反相器，其中，该第二NMOS晶体管栅漏相接并接至该第一电荷泵的输出端，源极接至该第二PMOS晶体管源极，该第二PMOS晶体管栅极接该电源电压，漏极接至该第三NMOS晶体管漏极与该第三PMOS晶体管栅极，该第三NMOS晶体管源极与该第四NMOS晶体管漏极相接，栅极与该第四NMOS晶体管共同接至该电源电压，该第四NMOS晶体管源极接地，该第三PMOS晶体管源极接该电源电压，漏极接至该第五NMOS晶体管的漏极与该第一反相器的输入端，该第五NMOS晶体管栅极接该电源电压，源极接地，该第一反相器的输出端接至该第二反相器的输入端，该第二反相器输出该第一控制信号。