[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：

形成栅极于透明基材上；

依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材及所述栅极上；

利用一多段式调整光掩膜来图案化所述光阻层，使得所述光阻层具有不同厚度及一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；

蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述半导体层、部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；

加热所述光阻层，使得部分所述光阻层回流至所述沟道内，而遮蔽住所述沟道；

蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；

移除所述光阻层；

形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及

形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多段式调整光掩膜为灰阶色调光掩膜、堆栈图层光掩膜或半色调光掩膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多段式调整光掩膜包括中间曝光区域、部分曝光区域及未曝光区域，所述部分曝光区域是位于所述中间曝光区域的两侧，所述曝光区域是位于所述未曝光区域的外侧。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述部分曝光区域具有多个不同透射率的区域。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述部分曝光区域具有穿透率范围在20％与80％之间的多个区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：愈靠近中间曝光区域的所述区域，其穿透率愈高。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：当蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，利用图案化后的所述光阻层来作为光掩膜，并对所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层进行湿蚀刻及干蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：当蚀刻所述半导体层时，利用回流后的所述光阻层来作为光掩膜，并对所述半导体层进行干蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：当移除所述光阻层时，利用剥离方式来移除所述光阻层。

10.一种显示面板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：

形成栅极于透明基材上；

依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材及所述栅极上；

利用一多段式调整光掩膜来图案化所述光阻层，使得所述光阻层具有不同厚度及一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；

蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述半导体层、部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；

加热所述光阻层，使得部分所述光阻层回流至所述沟道内，而遮蔽住所述沟道；

蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；

移除所述光阻层；

形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；

形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极，以完成一薄膜晶体管矩阵基板；以及

形成一液晶层于所述薄膜晶体管矩阵基板与彩色滤光片基板之间。