[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及薄膜晶体管制造技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。

【背景技术】

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)已被广泛应用于各种电子产品中，液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其是由液晶显示面板及背光模块(backlight module)所组成。一般的液晶显示面板包含彩色滤光片(Color Filter，CF)基板及薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵基板。CF基板上设有多个彩色滤光片和共同电极。TFT矩阵基板上设有多条彼此平行的扫描线、多条彼此平行的数据线、多个薄膜晶体管及像素电极，其中扫描线是垂直于数据线，且两相邻扫描线和两相邻数据线之间可界定像素(Pixel)区域。

在TFT矩阵基板的制程中，需使用多道光掩膜来进行光刻制程(Photo-lithgraphy)，然而，光掩膜相当昂贵，光掩膜数越多则TFT制程所需的成本越高，且增加制程时间及复杂度。再者，在光刻制程中，可能需进行多次湿蚀刻(wet etch)，而容易对金属线造成影响。

故，有必要提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法，以解决TFT制程问题。

本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

形成栅极于透明基材上；

依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材及所述栅极上；

利用一多段式调整光掩膜来图案化所述光阻层，使得所述光阻层具有不同厚度及一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；

蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述半导体层、部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；

加热所述光阻层，使得部分所述光阻层回流至所述沟道内，而遮蔽住所述沟道；

蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；

移除所述光阻层；

形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及

形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极。

本发明的另一目的在于提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

形成栅极于透明基材上；

依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材及所述栅极上；

利用一多段式调整光掩膜来图案化所述光阻层，使得所述光阻层具有不同厚度及一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；

蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述半导体层、部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；

加热所述光阻层，使得部分所述光阻层回流至所述沟道内，而遮蔽住所述沟道；

蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；

移除所述光阻层；

形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；

形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极，以完成一薄膜晶体管矩阵基板；以及

形成一液晶层于所述薄膜晶体管矩阵基板与彩色滤光片基板之间。

在本发明的一实施例中，所述多段式调整光掩膜为灰阶色调光掩膜、堆栈图层光掩膜或半色调光掩膜。

在本发明的一实施例中，所述多段式调整光掩膜包括中间曝光区域、部分曝光区域及未曝光区域，所述部分曝光区域是位于所述中间曝光区域的两侧，所述曝光区域是位于所述未曝光区域的外侧。

在本发明的一实施例中，所述部分曝光区域具有多个不同透射率的区域。

在本发明的一实施例中，所述部分曝光区域具有透射率穿透率范围在20％与80％之间多个区域。

在本发明的一实施例中，愈靠近中间曝光区域的所述区域，其透射率愈高。

在本发明的一实施例中，当蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，利用图案化后的所述光阻层来作为光掩膜，并对所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层进行湿蚀刻及干蚀刻。