[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一阱区；

一介电结构，位于该阱区上，且具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边，其中该介电结构包括一第一介电部分与一第二介电部分，位于该第一介电侧边与该第二介电侧边之间；

一第一掺杂层，位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该阱区上；

一第二掺杂层，位于该第一掺杂层上；以及

一第一掺杂区，位于该第一介电侧边上的该阱区中，其中该阱区、该第一掺杂层与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂层具有相反于该第一导电型的一第二导电型，一阴极被电性连接至该第一掺杂区，一阳极被电性连接至该第二介电侧边上的该阱区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一介电岛，位于该第一掺杂层与该第二掺杂层中。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掺杂层与该第二掺杂层是通过该阱区分成多个互相分开的掺杂条纹。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一介电条纹，延伸于该第一介电部分与该第二介电部分之间，并将该第一掺杂层与该第二掺杂层分成多个互相分开的掺杂条纹。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体结构包括肖特基二极管与PN型二极管。

6.一种半导体结构，包括：

一阱区；

一介电结构，位于该阱区上，且具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边；

一第一掺杂区，位于该第一介电侧边上的该阱区中；以及

一第二掺杂区与一第三掺杂区，位于该第二介电侧边上的该阱区中，其中，该阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂区与该第三掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，一阴极被电性连接至该第一掺杂区，一阳极被电性连接至位于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的该阱区、该第二掺杂区与该第三掺杂区。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该半导体结构包括肖特基二极管与PN型二极管。

8.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一介电结构于一阱区上，其中该介电结构具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边，该介电结构包括一第一介电部分与一第二介电部分，位于该第一介电侧边与该第二介电侧边之间；

形成一第一掺杂层，其中该第一掺杂层位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该阱区上；

形成一第二掺杂层于该第一掺杂层上；以及

形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区位于该第一介电侧边上的该阱区中，该阱区、该第一掺杂层与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂层具有相反于该第一导电型的一第二导电型。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，更包括形成多个介电条纹，其中该多个介电条纹延伸于该第一介电部分与该第二介电部分之间，该第一掺杂层形成于该多个介电条纹之间的该阱区上。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一介电结构于一阱区上，其中该介电结构具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边；

形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区位于该第一介电侧边上的该阱区中；

形成一第二掺杂区与一第三掺杂区，其中该第二掺杂区与该第三掺杂区位于该第二介电侧边上的该阱区中，该第二掺杂区与该第三掺杂区是通过该阱区互相分开，该阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂区与该第三掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型。