[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，

将基板载置在设于处理室内的旋转台上，沿着所述旋转台的旋转方向该处理室被划分为被供给蚀刻气体的处理区域和不被供给所述蚀刻气体而被供给吹扫气体的吹扫区域，

向所述处理区域供给蚀刻气体，

向所述吹扫区域供给吹扫气体，

使旋转台旋转，在使所述旋转台旋转1圈时使所述基板通过所述处理区域和所述吹扫区域各1次，

在所述基板通过所述处理区域时对形成于所述基板的表面的膜进行蚀刻，

通过使所述旋转台的旋转速度变化来控制对所述膜进行蚀刻的蚀刻速率或蚀刻后的所述膜的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在欲使所述蚀刻速率增加时，使所述旋转台的旋转速度降低，在欲使所述膜的表面粗糙度减小时，使所述旋转台的旋转速度增加。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

于在所述基板的表面上形成有凹形状图案且使所述膜以覆盖所述凹形状图案的方式成膜为凹状的情况下，在要将成膜于所述凹形状图案内的所述膜蚀刻成V字的截面形状时，使所述旋转台的旋转速度降低。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

于在所述基板的表面上形成有凹形状图案且使所述膜以覆盖所述凹形状图案的方式成膜为凹状的情况下，在要不使成膜于所述凹形状图案内的所述膜形成V字的截面形状而使所述膜的表面粗糙度减小时，使所述旋转台的旋转速度增加。

5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

在所述处理室内设置第2处理区域，能够向该第2处理区域供给成膜用的原料气体，并构成为还能够向所述处理区域供给成膜用的反应气体，

该基板处理方法还包括成膜工序，在该成膜工序中，使要利用蚀刻工序进行蚀刻的所述膜形成在所述基板的包含所述凹形状图案在内的表面上。

6.根据权利利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述蚀刻工序具有V字蚀刻工序，在该V字蚀刻工序中，将成膜于所述凹形状图案内的所述膜蚀刻成所述V字的截面形状。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，

交替地多次重复进行所述成膜工序和所述V字蚀刻工序。

8.根据权利利要求7所述的基板处理方法，其中，

所述成膜工序包括如下工序，即，一边使所述旋转台多次连续地旋转，一边在不向所述处理室内供给所述蚀刻气体的情况下向所述处理室内供给所述成膜用的原料气体、所述成膜用的反应气体以及所述吹扫气体，

所述V字蚀刻工序包括如下工序，即，一边使所述旋转台多次连续地旋转，一边在不向所述处理室内供给所述成膜用的原料气体和所述成膜用的反应气体的情况下向所述处理室内供给所述蚀刻气体和所述吹扫气体。

9.根据权利利要求7所述的基板处理方法，其中，

一边使所述旋转台多次连续地旋转一边同时供给所述成膜用的原料气体、所述成膜用的反应气体、所述蚀刻气体以及所述吹扫气体，多次重复进行这样循环：在所述旋转台旋转1圈的期间，进行所述成膜工序和所述V字蚀刻工序各1次。

10.根据权利利要求6所述的基板处理方法，其中，

所述蚀刻工序还具有使所述膜的表面粗糙度减小的表面粗糙度抑制工序。

11.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述蚀刻工序中的所述旋转台的旋转速度的变化通过这样的方式进行的：以所述成膜工序中的所述旋转台的旋转速度为基准速度，使所述旋转速度相对于该基准速度增加或降低。