[发明专利]一种超宽带天线及终端

权利要求书

1.一种超宽带天线，其特征在于，该天线包括：共面波导馈电线、渐变支臂、主辐射环形单极子、主耦合贴片、二次辐射环形单极子以及二次耦合贴片；其中，共面波导馈电线、渐变支臂、主辐射环形单极子与主耦合贴片位于印刷电路板PCB基板一面，二次辐射环形单极子与二次耦合贴片位于PCB基板另一面；

共面波导馈电线，一端与PCB基板的射频激励端口相连，一端与渐变支臂相连，用于将射频激励端口的电流传输给渐变支臂；

渐变支臂，一端与共面波导馈电线相连，一端与主辐射环形单极子相连，用于将电流传输给主辐射环形单极子；

主辐射环形单极子，与渐变支臂相连，与主耦合贴片形成电磁耦合；

主耦合贴片，位于主辐射环形单极子中间，与主辐射环形单极子的距离使主辐射环形单极子形成电磁耦合；

二次辐射环形单极子，通过金属过孔与主辐射环形单极子相连，与二次耦合贴片形成电磁耦合；

二次耦合贴片，位于二次辐射环形单极子中间，与二次辐射环形单极子的距离使二次环形单极子形成电磁耦合。

2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，

所述主辐射环形单极子及二次辐射环形单极子，环形宽大于0.5mm，周长与谐振频率应满足周长＝光速/2x谐振频率。

3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，

所述主辐射环形单极子及二次辐射环形单极子，为长方形，环形宽大于0.5mm，周长在100mm-200mm之间；

相应的，主耦合贴片及二次耦合贴片，为矩形，周长在50mm-100mm之间。

4.根据权利要求1、2或3所述的天线，其特征在于，

所述共面波导馈电线与渐变支臂的阻抗为50欧姆。

5.根据权利要求4所述的天线，其特征在于，

PCB基板的投影区域不能与主辐射环形单极子、主耦合贴片、二次辐射环形单极子、二次耦合贴片及渐变支臂出现干涉。

6.根据权利要求5所述的天线，其特征在于，

主辐射环形单极子与二次辐射环形单极子之间相连的金属过孔，位于所预设的主辐射环形单极子的电流为峰值时的金属过孔的位置。

7.一种超宽带终端，其特征在于，该终端包括：天线、PCB基板、输入模块、显示模块；其中，所述天线包括：该天线包括：共面波导馈电线、渐变支臂、主辐射环形单极子、主耦合贴片、二次辐射环形单极子以及二次耦合贴片；其中，共面波导馈电线、渐变支臂、主辐射环形单极子与主耦合贴片通过位于PCB基本一面，二次辐射环形单极子与二次耦合贴片位于PCB基本另一面；

所述共面波导馈电线，一端与PCB基板的射频激励端口相连，一端与渐变支臂相连，用于将射频激励端口的电流传输给渐变支臂；

渐变支臂，一端与共面波导馈电线相连，一端与主辐射环形单极子相连，用于将电流传输给主辐射环形单极子；

主辐射环形单极子，与渐变支臂相连，与主耦合贴片形成电磁耦合；

主耦合贴片，位于主辐射环形单极子中间，与主辐射环形单极子的距离使主辐射环形单极子形成电磁耦合；

二次辐射环形单极子，通过金属过孔与主辐射环形单极子相连，与二次耦合贴片形成电磁耦合；

二次耦合贴片，位于二次辐射环形单极子中间，与二次辐射环形单极子的距离使二次环形单极子形成电磁耦合。

8.根据权利要求7所述的终端，其特征在于，

所述主辐射环形单极子及二次辐射环形单极子，环形宽大于0.5mm，周长与谐振频率应满足周长＝光速/2x谐振频率。

9.根据权利要求8所述的终端，其特征在于，

所述主辐射环形单极子及二次辐射环形单极子，为长方形，环形宽大于0.5mm，周长在100mm-200mm之间；

相应的，主耦合贴片及二次耦合贴片，为矩形，周长在50mm-100mm之间。

10.根据权利要求7、8或9所述的终端，其特征在于，

所述共面波导馈电线与渐变支臂的阻抗为50欧姆。

11.根据权利要求10所述的终端，其特征在于，

PCB基板的投影区域不能与主辐射环形单极子、主耦合贴片、二次辐射环形单极子、二次耦合贴片及渐变支臂出现干涉。

12.根据权利要求11所述的终端，其特征在于，

主辐射环形单极子与二次辐射环形单极子之间相连的金属过孔，位于主辐射环形单极子的电流为峰值时，所预设的金属过孔的位置。