[发明专利]晶圆切割制程有效
| 申请号： | 201110179147.8 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102693941A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈崇龙 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆切割制程，包括：
提供晶圆，该晶圆具有正面与背面；
于该晶圆的该正面贴附研磨贴片，并预切割该晶圆的该背面，以于该晶圆的该背面上形成多个切割道；
研磨该晶圆的该背面，以减少该晶圆的厚度与该些切割道的深度；
移除该研磨贴片；以及
于该晶圆的该背面贴附第一切割贴片，并切割该晶圆的该正面，以形成多个彼此分离的芯片。
2.如权利要求1所述的晶圆切割制程，其特征在于，该晶圆具有多个凸块，且该些凸块阵列排列于该晶圆的该正面。
3.如权利要求1所述的晶圆切割制程，其特征在于，预切割该晶圆的该背面的方法包括：
将贴附有该研磨贴片的该晶圆置于第二切割贴片上，其中该研磨贴片与该第二切割贴片接触；以及
于该晶圆的该背面上形成该些切割道。
4.如权利要求3所述的晶圆切割制程，其特征在于，预切割该晶圆的该背面的方法更包括：
在预切割该晶圆的该背面之后，移除该第二切割贴片。
5.如权利要求1所述的晶圆切割制程，其特征在于，预切割该晶圆的该背面的方法包括进行激光切割、机械切割或蚀刻。
6.如权利要求1所述的晶圆切割制程，其特征在于，该研磨贴片是在该晶圆被研磨之后被移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
