[发明专利]晶圆切割制程

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体制程，且特别是有关于一种晶圆切割制程。

背景技术

随着科技日新月异，集成电路(integrated circuits，IC)元件已广泛地应用于我们日常生活当中。一般而言，集成电路的生产主要分为三个阶段：半导体晶圆(wafer)的制造、集成电路的制作及集成电路的封装。

此外，在半导体晶圆上制造集成电路之后，会对半导体晶圆进行切割以形成多个芯片(chip)。一般来说，上述的切割制程通常是先于晶圆的正面贴附研磨贴片(grinding tape)，并研磨晶圆的背面，以减少晶圆的厚度。然后，移除研磨贴片。接着，于晶圆的背面贴附第一切割贴片(saw tape)，并切割晶圆的正面，以于晶圆的正面上形成切割道。而后，移除第一切割贴片。之后，于晶圆的正面贴附第二切割贴片，并切割晶圆的背面，以形成多个芯片。

然而，在上述的切割制程中，在切割晶圆的背面之后往往会产生背崩(chipping)现象，即在切割晶圆的背面而形成多个芯片之后芯片会彼此碰撞或者因切割应力而造成芯片的背面受损，因而影响所形成的芯片的品质。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种晶圆切割制程，其可解决晶圆因背崩而损坏的问题。

本发明提出一种晶圆切割制程，其先提供晶圆。晶圆具有正面与背面。然后，于晶圆的正面贴附研磨贴片，并预切割(pre-cutting)晶圆的背面，以于晶圆的背面上形成多个切割道。接着，研磨晶圆的背面，以减少晶圆的厚度与切割道的深度。而后，移除研磨贴片。之后，于晶圆的背面贴附第一切割贴片，并切割晶圆的正面，以形成多个彼此分离的芯片。

依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的晶圆例如具有多个凸块(bump)，且这些凸块阵列排列于晶圆的正面。

依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的预切割晶圆的背面的方法例如是先将贴附有研磨贴片的晶圆置于第二切割贴片上，其中研磨贴片与第二切割贴片接触。之后，于晶圆的背面上形成切割道。

依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，在预切割晶圆的背面之后，还可以移除第二切割贴片。

依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的预切割晶圆的背面的方法例如是进行激光切割、机械切割或蚀刻。

依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的研磨贴片例如是在晶圆被研磨之后被移除。

在本发明中，在对晶圆的背面进行预切割之后，对晶圆的背面进行研磨，以移除晶圆的背面因背崩而造成的损坏，因此可形成具有良好品质的芯片。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为依照本发明实施例所绘示的晶圆切割制程的剖面示意图。

【主要元件符号说明】

100：晶圆

100a：正面

100b：背面

102：凸块

104：研磨贴片

106、112：切割贴片

108：切割道

110：区域

114：芯片

具体实施方式

图1A至图1E为依照本发明实施例所绘示的晶圆切割制程的剖面示意图。首先，请参照图1A，提供晶圆100。晶圆100具有正面100a与背面100b。正面100a为主动表面，其上具有多个凸块102。凸块102例如为银凸块、铜金凸块或金凸块。凸块102例如是阵列排列于晶圆100的正面100a上。然后，于晶圆100的正面100a上贴附研磨贴片104。

请参照图1B，将贴附有研磨贴片104的晶圆100置于切割贴片106上，使研磨贴片104与切割贴片106接触。之后，进行预切割步骤，切割晶圆100的背面100b，以于晶圆100的背面100b上形成多个切割道108。切割晶圆100的背面100b的方法例如是进行激光切割、机械切割(例如使用切割刀)或蚀刻。需要注意的是，在此步骤中，并未将晶圆100切割成多个分离的芯片，亦即切割道108并未贯穿晶圆100。

此外，在形成切割道108之后，晶圆100的背面100b可能会因切割应力的影响而在区域110处产生损坏，此即为熟知的背崩现象。