[发明专利]树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件

权利要求书

1.一种树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，包括：

步骤11，合成单体树脂；

步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。

2.根据权利要求1所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，所述步骤12中在将合成的单体树脂添加到有机溶剂中时，还将感光剂添加到有机溶剂中，并搅拌以使合成的单体树脂和感光剂均溶解在有机溶剂中。

3.根据权利要求2所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，所述树脂介电层材料包括正性感光树脂介电层材料、负性感光树脂介电层材料和非感光树脂介电层材料；

制备正性感光树脂介电层材料时，所述单体树脂包括：聚甲基丙烯酸甲酯或聚合氯化铝；

制备负性感光树脂介电层材料时，所述单体树脂包括：丙烯酸酯；

制备非感光树脂介电层材料时，所述单体树脂包括：2-甲氧基-1-甲基乙基醋酸或苯基硅氧烷聚合物。

4.根据权利要求3所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯、聚氧乙烯蓖麻油、丙二醇甲醚或乙醇。

5.根据权利要求4所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，应用旋转涂覆方式涂覆树脂介电层材料时，制得的正性感光树脂介电层材料或负性感光树脂介电层材料中包括：重量比为20％～40％的单体树脂、重量比为3％～5％的感光剂、重量比为55％～77％的有机溶剂，制得的非感光树脂介电层材料中包括：重量比为30％～50％的单体树脂、重量比为50％～70％的有机溶剂；或，

应用刮涂方式涂覆树脂介电层材料时，制得的正性感光树脂介电层材料或负性感光树脂介电层材料中包括：重量比为10％～30％的单体树脂、重量比为3％～5％的感光剂、重量比为65％～87％的有机溶剂，制得的非感光树脂介电层材料中包括：重量比为20％～40％的单体树脂、重量比为60％～80％的有机溶剂。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，在所述步骤12之后，还包括：

步骤13，对制得树脂介电层材料进行过滤；

步骤14，将过滤后的树脂介电层材料密封，并在-15℃以下的环境中冷藏保存。

7.一种树脂介电层的制备方法，其特征在于，包括：

步骤21，在基板上涂覆如权利要求1-6中任一项所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；

步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。

8.根据权利要求7所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，在所述步骤21之前，所述方法还包括：

步骤20，向基板表面上涂覆施加六甲基二硅亚胺，基板表面与六甲基二硅亚胺反应薄膜；，使得基板表面变为具有疏水特性，，便于树脂材料的粘附树脂介电层材料.。

9.根据权利要求7或8所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，当所述树脂介电层由正性感光树脂介电层材料或负性感光树脂介电层材料制成时，在所述步骤21之后且在所述步骤22之前，所述方法还包括：

步骤31、对树脂介电层薄膜进行预烘焙；

步骤32、对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行曝光显影，树脂介电层薄膜的完全去掉的区域对应于不需要保留树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的半保留区域对应于需要保留部分树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的完全保留区域对应于不需要去除树脂介电层薄膜的区域。

10.根据权利要求9所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，所述步骤31中，在90℃～100℃的温度下对正性感光树脂介电层薄膜或负性感光树脂介电层薄膜进行预烘焙。

11.根据权利要求9所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，所述步骤32中，对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行显影的持续时间为70秒～200秒，所使用的显影液浓度为2％～4％。

12.根据权利要求9所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，当所述树脂介电层由正性感光树脂介电层材料制成时，在所述步骤32之后且在所述步骤22之前，所述方法还包括：

步骤33，对曝光显影后的正性感光树脂介电层薄膜进行265纳米的紫外光照射。