[发明专利]涂布、显影装置有效
申请号: | 201110181207.X | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102315090A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 松冈伸明;宫田亮;林伸一;榎木田卓 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G03F7/00;G03F7/36 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂布 显影 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在基板上涂布抗蚀剂并进行显影的涂布、显影装置。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的光抗蚀剂工序中,在半导体晶片(以下称为晶片)的表面涂布抗蚀剂,并以规定的图案对该抗蚀剂曝光后进行显影而形成抗蚀剂图案。在用于形成上述抗蚀剂图案的涂布、显影装置中,设置有具备用于对晶片进行各种处理的处理模块的处理块(block)。
例如如专利文献1记载的那样,处理块通过将形成抗蚀剂膜等各种涂布膜的单位块和进行显影处理的单位块相互叠层而构成。晶片依次在各单位块设置的处理块中被传递以接受处理。
然而,形成更微小的图案、会进一步降低成品率,因此使上述处理块中设置的处理块多样化。例如,除了对基板涂布抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之外,有时还设置有对涂布了抗蚀剂的晶片的背面进行清洗的背面清洗模块、对抗蚀剂膜的上层供给药液进而形成膜的上层用的液处理模块等。在将上述各种处理模块搭载于处理块的基础上,对如何抑制涂布、显影装置的占地面积进行了研讨。
叠层上述单位块所得的结构,对于抑制上述占地面积是有效的,但是由于晶片是依次被输送到各单位块,所以当一个处理模块或单位块中发生异常或者进行维修时,存在必须停止涂布、显影装置的全部处理的情况。于是,产生装置的运转效率降低的问题。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2007-115831
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供能够抑制处理块的设置面积,并且能够在单位块中发生异常或者进行维修时抑制涂布、显影装置的运转效率降低的技术。
本发明的涂布、显影装置,将由载体搬入到载体块中的基板交接给处理块,并在该处理块形成包含抗蚀剂膜的涂布膜之后,将通过相对于上述处理块位于与载体块相反一侧的接口块输送到曝光装置的、并通过上述接口块返回来的曝光后的基板,在上述处理块进行显影处理并交接给上述载体块,上述涂布、显影装置的特征在于,包括:
a)上述处理块,具备:
将涂布用单位块相互上下叠层形成N(N为2以上的整数)层的叠层体,上述涂布用单位块具有:将用于形成上述涂布膜的药液供给到基板的液处理模块、对涂布了药液之后的基板进行加热的加热模块、和为了在这些模块之间输送基板,在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构,和
与上述叠层体叠层的、将显影处理用单位块相互上下叠层形成N(N为2以上的整数)层的叠层体,上述显影处理用单位块具有:向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构,其中,
上述N层化的涂布用单位块构成为相互形成相同的涂布膜;
b)交接部,按照各单位块,设置于载体块一侧,用于与各单位块的输送机构之间进行基板的交接;
c)交接机构,将从载体搬出的基板交接给涂布膜用单位块的交接部;和
d)用于控制基板的输送的控制部。
作为处理块的一个例子,能够列举以下结构,包括:
前级处理用单位块,其具备:向基板供给反射防止膜形成用的药液来形成下层侧的反射防止膜的下层用液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和为了在这些模块之间输送基板,在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构;和
后级处理用单位块,其与前级处理用单位块叠层,并具备:向形成有抗蚀剂膜的基板供给上层侧的膜形成用的药液来形成上层侧的膜的上层用液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和为了在这些模块之间输送基板,在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构,
向上述反射防止膜上供给抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的涂布模块,设置于前级处理用单位块和后级处理用单位块的至少一方,
对于前级处理用单位块和后级处理用单位块中的任一者,分别以利用N个形成N层的方式叠层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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