[发明专利]太阳能晶片洗剂以及清洗太阳能晶片的方法

权利要求书

1.一种太阳能晶片洗剂，用以清洗太阳能晶片，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂包括：

醇醚羧酸盐类；以及

溶剂，用于稀释所述醇醚羧酸盐类。

2.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述醇醚羧酸盐类包括结构式：

R-(OCH₂CH₂)_nOCH₂COONa(H)

其中，R代表取代基，且n为正整数。

3.如权利要求2所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：R代表碳数由1～18的烷基、碳数由1～18的含双键的烯基、碳数由1～18的炔基、内含苯环的有机链段取代基、有支链的有机链段取代基、或是有共聚链段的有机链段取代基；n是1～16的正整数。

4.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：相对于太阳能晶片洗剂，所述醇醚羧酸盐类的添加量是于0.01wt％到30wt％之间。

5.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述醇醚羧酸盐类的重均分子量为100～9000。

6.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述醇醚羧酸盐类包括醇醚羧酸钠盐、醇醚羧酸钾盐、醇醚羧酸三级胺盐或醇醚羧酸四级胺盐。

7.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂呈现碱性。

8.如权利要求7所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂的pH值介于9～13之间。

9.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂还包括碱类。

10.如权利要求9所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述碱类包括有机碱类或无机碱类。

11.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：相对于所述太阳能晶片洗剂，所述溶剂的配合量是在60wt％到99.9wt％之间。

12.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述溶剂包括极性或弱极性的溶液。

13.如权利要求12所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述溶剂包括水或醇类。

14.如权利要求1所述的太阳能晶片洗剂，其特征在于：所述太阳能晶片是单晶硅晶片或多晶硅晶片。

15.一种清洗太阳能晶片的方法，所述太阳能晶片经过线锯制程，其特征在于该方法包括：

使用太阳能晶片洗剂清洗所述太阳能晶片，所述太阳能晶片洗剂包括：

醇醚羧酸盐类；以及

溶剂，用于稀释所述醇醚羧酸盐类。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于：所述醇醚羧酸盐类包括结构式：

R-(OCH₂CH₂)_nOCH₂COONa(H)

其中，R代表取代基，且n为正整数。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于：R代表碳数由1～18的烷基、碳数由1～18的含双键的烯基、碳数由1～18的炔基、内含苯环的有机链段取代基、有支链的有机链段取代基、或是有共聚链段的有机链段取代基；n是1～16的正整数。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于：相对于所述太阳能晶片洗剂，所述醇醚羧酸盐类的添加量是于0.01wt％到30wt％之间。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于：所述醇醚羧酸盐类的重均分子量为100～9000。

20.如权利要求15所述的方法，其特征在于：所述醇醚羧酸盐类包括醇醚羧酸钠盐、醇醚羧酸钾盐、醇醚羧酸三级胺盐或醇醚羧酸四级胺盐。

21.如权利要求15所述的方法，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂呈现碱性。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂的pH值介于9～13之间。

23.如权利要求15所述的方法，其特征在于：所述太阳能晶片洗剂还包括碱类。