[发明专利]太阳能晶片洗剂以及清洗太阳能晶片的方法无效
申请号: | 201110181420.0 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102851125A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 张顺吉;卢厚德 | 申请(专利权)人: | 达兴材料股份有限公司 |
主分类号: | C11D1/06 | 分类号: | C11D1/06;C11D10/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 秦剑 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 晶片 洗剂 以及 清洗 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种晶片洗剂,且特别是有关于一种太阳能晶片洗剂以及使用其清洗太阳能晶片的方法。
背景技术
自然能源具有低污染、高再生、取得容易的特性,特别是太阳能的应用已日益剧增,而如何更有效且广泛地将自然能源转换成的电能储存以为其它应用,更是永续能源的重要课题。
目前全球太阳光电市场的应用,是以硅晶太阳能电池为主流。而硅晶太阳能电池的制程一般包括前段晶片(Wafer)制程、太阳能电池(Cell)制程以及后段封装制程,其中的上游产业晶片(Wafer)制程可区分为单晶硅晶片制程以及多晶硅晶片制程。
单晶硅晶片的制造是将纯化后的硅砂在拉晶机中熔融,再抽拉成为晶棒。至于多晶硅晶片的制造则是将纯化后的硅砂熔融在方向性长晶炉的坩埚中,再冷却铸成晶块。前述晶棒与晶块必须经过线锯(wire saw),才能得到硅晶太阳能电池用的晶片。
对于太阳能电池用的晶片的表面型态的要求因为不需要达电子级程度,因此目前在晶棒或与晶块切成晶片后,仅以水溶盐类进行晶片表面清洗的步骤(亦称为“晶片(wafer)清洗段”)。然而,线锯之后的晶片表面除了有粒子需去除外,也会有油污残留,因此需要一个较完善的清洗步骤。
发明内容
本发明提供一种太阳能晶片洗剂以及使用其清洗太阳能晶片的方法,以便在线锯后同时去除太阳能晶片表面的粒子与油污。
本发明提出一种太阳能晶片洗剂,包括醇醚羧酸盐类以及溶剂,用于稀释前述醇醚羧酸盐类。
在本发明的一实施例中,上述醇醚羧酸盐类包括结构式:
R-(OCH2CH2)nOCH2COONa(H)
其中,R代表取代基,如碳数由1~18的烷基、碳数由1~18的含双键的烯基、碳数由1~18的炔基、内含苯环的有机链段取代基、有支链的有机链段取代基、有共聚(co-polymer)链段的有机链段取代基等,但并不以此为限。n为正整数,如1~16的正整数。
在本发明的一实施例中,相对于上述太阳能晶片洗剂,醇醚羧酸盐类的添加量是0.01wt%到30wt%之间。
在本发明的一实施例中,上述醇醚羧酸盐类的重均分子量为100~9000。
在本发明的一实施例中,上述醇醚羧酸盐类包括醇醚羧酸钠盐、醇醚羧酸钾盐、醇醚羧酸三级胺盐或醇醚羧酸四级胺盐。
在本发明的一实施例中,上述太阳能晶片洗剂是呈现碱性。而且,太阳能晶片洗剂的pH值例如介于9~13之间。
在本发明的一实施例中,上述太阳能晶片洗剂还包括碱类,其中所述碱类包括有机碱类或无机碱类。
在本发明的一实施例中,相对于太阳能晶片洗剂,上述溶剂的配合量是在60wt%~99.9wt%之间。
在本发明的一实施例中,上述溶剂包括极性或弱极性的溶液,如:水或醇类。
在本发明的一实施例中,上述太阳能晶片是应用于太阳能电池的单晶硅晶片、多晶硅晶片、或IC用单晶硅晶片。
本发明另提出一种清洗太阳能晶片的方法,包括使用上述太阳能晶片洗剂清洗经过线锯制程的太阳能晶片。
基于上述,本发明利用醇醚羧酸盐类作为太阳能晶片洗剂的主要界面活性剂,同时搭配适当的溶剂,因此可以作为清除晶片表面微小粒子并增进油水相的相容性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是太阳能晶片的清洗步骤图。
主要元件符号说明
100~110:步骤
实施方式
本发明的太阳能晶片洗剂基本上包括醇醚羧酸盐类(alcohol ether carboxylates)以及溶剂,其中溶剂是用来稀释前述醇醚羧酸盐类。由于醇醚羧酸盐是一种多功能阴离子表面活性剂,与肥皂十分相似,但嵌入的聚乙二醇链使其兼备阴离子和非离子表面活性剂的特点,因此可在广泛的pH条件下使用。
在一实施例中,上述醇醚羧酸盐类的结构式为:
R-(OCH2CH2)nOCH2COONa(H)
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