[发明专利]声波元件有效
申请号: | 201110181588.1 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102332888A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 三宅高志 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/25 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 元件 | ||
1.一种声波元件,其特征在于,
具备多个谐振器结构,该谐振器结构包含相邻配置的多个谐振器,该谐振器彼此互相耦合来进行谐振,由此能以至少两种以上的振动模式进行激振,
所述谐振器结构中的至少一个被电连接为:在滤波器频带内一种振动模式下的谐振特性表现得比其他振动模式下的谐振特性更强。
2.根据权利要求1所述的声波元件,其特征在于,
所述谐振器结构的所述谐振器是层叠了一对电极膜和被夹在该一对电极膜之间的压电薄膜的压电薄膜谐振器,
所述谐振器结构是所述压电薄膜谐振器彼此在所述压电薄膜谐振器的层叠了所述一对电极膜及所述压电薄膜的层叠方向上互相被层叠的层叠型体声波元件。
3.根据权利要求2所述的声波元件,其特征在于,
一个所述层叠型体声波元件和其他的所述层叠型体声波元件的所述谐振器被电连接。
4.根据权利要求3所述的声波元件,其特征在于,
一个所述层叠型体声波元件和其他的所述层叠型体声波元件的所述谐振器被串联地级联连接。
5.根据权利要求3所述的声波元件,其特征在于,
一个所述层叠型体声波元件和其他的所述层叠型体声波元件的所述谐振器被并联连接。
6.根据权利要求4或5所述的声波元件,其特征在于,
所述层叠型体声波元件连接成梯子型。
7.根据权利要求4或5所述的声波元件,其特征在于,
所述层叠型体声波元件连接成网格型。
8.根据权利要求4或5所述的声波元件,其特征在于,
相对于一个所述层叠型体声波元件而言,其他两个所述层叠型体声波元件与输入或输出的任一方串联连接,与另一方并联连接。
9.根据权利要求2至8中的任一项所述的声波元件,其特征在于,
所述层叠型体声波元件的至少一层的材料及膜厚实质上相同。
10.根据权利要求2至8中的任一项所述的声波元件,其特征在于,
在所述层叠型体声波元件的各层中,除了一层之外,其他各层分别在材料及膜厚方面实质上相同。
11.根据权利要求2至8中的任一项所述的声波元件,其特征在于,
只有所述层叠型体声波元件中的一部分包含至少一层的追加层,
包含所述追加层的所述谐振器结构的所述追加层以外的各层和其他所述谐振器结构的各层分别在材料及膜厚方面实质上相同。
12.根据权利要求2至8中的任一项所述的声波元件,其特征在于,
所述层叠型体声波元件的各层分别在材料及膜厚方面实质上相同。
13.根据权利要求2至12中的任一项所述的声波元件,其特征在于,
所述层叠型体声波元件所包含的互相层叠的所述压电薄膜谐振器是两个。
14.根据权利要求13所述的声波元件,其特征在于,
在所述层叠型体声波元件的至少一个中,
一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离另一个所述压电薄膜谐振器近的一个所述电极膜、和另一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离一个所述压电薄膜谐振器远的一个所述电极膜被电短路,
一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离另一个所述压电薄膜谐振器远的另一个所述电极膜、和另一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离一个所述压电薄膜谐振器近的另一个所述电极膜被电短路。
15.根据权利要求13所述的声波元件,其特征在于,
在所述层叠型体声波元件的至少一个中,
一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离另一个所述压电薄膜谐振器远的一个所述电极膜、和另一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离一个所述压电薄膜谐振器远的一个所述电极膜被电短路,
一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离另一个所述压电薄膜谐振器近的另一个所述电极膜、和另一个所述压电薄膜谐振器的所述一对电极膜中距离一个所述压电薄膜谐振器近的另一个所述电极膜被电短路。
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