[发明专利]多栅器件的形成方法

权利要求书

1.一种多栅器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；

依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；

对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；

对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；

对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。

2.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述第二反应离子刻蚀使得剩余的介质层在所述鳍部上方的剖面为上凸形。

3.根据权利要求2所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述剩余的介质层的上凸形剖面的顶部和底部的高度差为0nm至40nm。

4.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为旋涂玻璃或光致抗蚀剂，其形成方法为旋涂法。

5.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为旋涂玻璃，所述第一反应离子刻蚀采用的刻蚀气体为三氟甲烷、四氟化碳和氩气的混合气体。

6.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，在所述第一反应离子刻蚀中，控制反应室中的压强，使得对所述牺牲层位于所述半导体衬底中央位置的部分的刻蚀速率大于位于边缘位置的部分的刻蚀速率，以使剩余的牺牲层具有凹形剖面。

7.根据权利要求6所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，在所述第一反应离子刻蚀中，控制所述反应室中的压强大于等于325mTorr。

8.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述介质层为保形性材料。

9.根据权利要求8所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为低温氧化层、硼磷硅玻璃、氮化硅、氟氧化硅、碳氧化硅或低介电常数材料。

10.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为低温氧化层，所述第二反应离子刻蚀采用的刻蚀气体为三氟甲烷、四氟化碳和氩气的混合气体。

11.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的厚度为10nm至2000nm，所述牺牲层的厚度为10nm至2000nm。

12.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，在所述第三反应离子刻蚀后，还包括：依次形成栅介质层和栅电极层，所述栅介质层覆盖暴露出的鳍部的顶部和侧壁，所述栅电极层覆盖所述栅介质层。