[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片及其扩散方法

权利要求书

1.一种扩散方法，其特征在于，包括：

A、将硅片放入扩散炉中，升温至780℃～800℃；

B、经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的小氮、氧气和大氮，扩散炉内温度保持在780℃～800℃，时间为15min～20min；

C、经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，扩散炉内温度升至850℃～870℃，时间为10min～18min；

D、扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片；

在整个扩散过程中，所述扩散炉管内的气体流量恒定。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，步骤B中，所述经过扩散炉管的小氮与氧气的体积流量比为4∶1～7∶1。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述扩散炉管内的气体流量保持在7L/min。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述小氮流量为1L/min～1.5L/min，所述氧气的流量为0.15L/min～0.42L/min，所述大氮的流量为5.08L/min～5.85L/min。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述小氮流量为1.3L/min，所述氧气的流量为0.3L/min，所述大氮的流量为5.4L/min。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，步骤C中，所述经过扩散炉管的氧气流量为2L/min～3L/min，所述大氮的流量为4L/min～5L/min。

7.一种采用权利要求1-6任一项所述的方法生产的晶体硅太阳能电池片。

8.根据权利要求7所述电池片，其特征在于，所述电池片的PN结的结深为0.18um～0.22um。

9.根据权利要求8所述电池片，其特征在于，所述电池片方块电阻的不均匀度在4％以内。

10.根据权利要求9所述电池片，其特征在于，所述电池片的转换效率为16.5％～17.5％。