[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)提供衬底(100)，在所述衬底(100)之上形成栅极堆叠；

(b)在所述衬底(100)上形成源/漏区(110)和源/漏外延区(120)，所述源/漏外延区(120)与所述源/漏区(110)相连，且其长度大于所述源/漏区(110)的长度；

(c)形成覆盖所述栅极堆叠、所述源/漏区(110)和所述源/漏外延区(120)的层间介质层(300)；

(d)在所述源/漏外延区(120)上形成接触塞(320)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，采用离子注入的方式在所述衬底(100)上形成源/漏区(110)和源/漏外延区(120)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，采用离子注入的方式在所述衬底(100)上形成源/漏区(110)和源/漏外延区(120)，还包括以下步骤：

(e)在所述衬底(100)上形成光刻胶；

(f)对光刻胶进行曝光构图，形成待注入区域；

(g)对所述区域进行离子注入。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述源/漏外延区(120)上形成接触塞(320)，还包括以下步骤：

(h)在所述层间介质层(300)中形成至少使所述衬底(100)之上的所述源/漏外延区(120)部分暴露的接触孔(310)；

(i)在所述衬底(100)的暴露的源/漏外延区(120)上形成金属硅化物(130)。

(j)在所述接触孔(310)中填充接触金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源/漏外延区(120)为翼形。

6.一种半导体结构，包括：衬底(100)、源/漏区(110)和源/漏外延区(120)、栅极堆叠、层间介质层(300)、接触塞(320)，其中：

源/漏区(110)和源/漏外延区(120)形成于所述衬底(100)之中；所述栅极堆叠形成在所述衬底(100)之上，所述层间介质层(300)覆盖所述源/漏区(110)和所述源/漏外延区(120)，

其特征在于，

所述接触塞(320)贯穿所述层间介质层(300)并延伸到所述源/漏外延区(120)，所述源/漏外延区(120)的长度大于所述源/漏区(110)的长度，所述长度为平行于沟道长度方向的度量。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述源/漏外延区(120)为翼形。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述源/漏外延区(120)高于所述栅极堆叠底部，所述接触塞(320)延伸到所述源/漏外延区(120)内部。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述源/漏外延区(120)位于源/漏区(110)宽度方向上的一侧或两侧。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述源/漏外延区(120)受到杂质离子掺杂，并且其掺杂浓度与源/漏区(110)相同。