[发明专利]基于HBT器件的可预置D触发器

权利要求书

1.一种基于HBT器件的可预置D触发器，包括第一锁存器(1)和第二锁存器(2)，其特征在于：

第二锁存器(2)的差分输出端连接有预置电路(3)，该预置电路(3)采用差分结构，用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出；

第一锁存器(1)、第二锁存器(2)和预置电路(3)的电流信号输入端连接有选择电路(4)，用于选择工作电路，即当外界输入给选择电路(4)的正相选择信号LDP为低电平、反相选择信号LDN为高电平时，选择第一锁存器(1)和第二锁存器(2)工作，反之选择预置电路(3)工作，以实现整个D触发器的工作模式在触发器模式和预置模式之间的切换；

所述第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)中的所有晶体管均采用异质结双极晶体管HBT。

2.根据权利要求1所述的可预置D触发器，其特征在于第一锁存器(1)包括第一差分电路(Q1，Q2)、第二差分电路(Q5，Q6)和第一交叉耦合电路(Q3，Q4)，该第一差分电路(Q1，Q2)的集电极分别与第一交叉耦合电路(Q3，Q4)的集电极相连；第二差分电路中的Q5集电极与第一差分电路(Q1，Q2)的发射极连接，第二差分电路中的Q6与第一交叉耦合电路(Q3，Q4)的发射极连接。

3.根据权利要求1所述的可预置D触发器，其特征在于第二锁存器(2)包括第三差分电路(Q8，Q9)、第四差分电路(Q12，Q13)和第二交叉耦合电路(Q10，Q11)，该第三差分电路(Q8，Q9)的集电极分别与第二交叉耦合电路(Q10，Q11)的集电极相连；第四差分电路中的Q12集电极与第三差分电路(Q8，Q9)的发射极连接，第四差分电路中的Q13与第二交叉耦合电路(Q10，Q11)的发射极连接。

4.根据权利要求1所述的可预置D触发器，其特征在于预置电路(3)包括第五差分电路(Q15，Q16)和晶体管Q17，该晶体管Q17的集电极与其基极相连后，与第五差分电路(Q15、Q16)的发射极相连，为第五差分电路(Q15、Q16)提供直流偏置；该第五差分电路(Q15，Q16)的集电极分别与第二交叉耦合电路(Q11，Q10)的集电极相连，用于对外界输入的预置信号采样并输出。

5.根据权利要求1所述的可预置D触发器，其特征在于选择电路(4)包括晶体管Q7、晶体管Q14和晶体管Q18，该晶体管Q7的发射极与晶体管Q18的发射极相连，组成一个差分对，用作选择工作模式的开关，同时该晶体管Q7的基极与晶体管Q14的基极相连，以使晶体管Q7和晶体管Q14能同时开启和关断；该晶体管Q14的发射极与晶体管Q18的发射极相连，组成一个差分对，用作选择工作模式的开关；所述晶体管Q7、晶体管Q14和晶体管Q18的发射极均与用作电流源的晶体管Q19的集电极相连，以得到一个稳定的电流。