[发明专利]铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法无效
申请号: | 201110183085.8 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102364699A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 张驰;刘振淮;熊震;付少永 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/00 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铸锭 多晶 硅片 头尾 排序 标识 方法 | ||
1.一种铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法,其特征在于包括以下步骤:
1)检测:将开方后的铸锭多晶硅晶棒进行红外和少子寿命检测;
2)截断:综合红外和少子寿命检测结果确定截断位置,进行截断加工;
3)标识:利用激光在截断后晶棒的表面上进行画线标识;
4)磨面:将标识后的晶棒进行磨面抛光;
5)倒角:将磨面后的晶棒进行倒角;
6)粘棒:将倒角后的晶棒通过固化胶粘贴在晶托上;
7)切片:将上述晶棒固化一段时间后送入机台进行切片。
2.如权利要求1所述的铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法,其特征在于: 所述的步骤3)中的标识方法为:任意选择晶棒一个表面,从头部或尾部一个角 的顶点出发向其对边画线,所述的画线与对边的交点不大于整个边长的1/2,画 线深度不小于5μm,画线条数不小于2条。
3.如权利要求1所述的铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法,其特征在于: 所述的步骤6)中胶粘面为非标识面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的