[发明专利]铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅片的标识方法，尤其是一种利用激光在硅锭表面上进行 标识的方法。

背景技术

上世纪70年代以来，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界 上许多国家掀起开发利用太阳能的热潮。晶硅太阳电池因其可靠性高、寿命长、 能承受各种环境变化等优点，成为太阳电池的主要品种在光伏市场居统治地位。 就其晶体形态而言，主要有单晶硅、多晶硅及非晶硅三大类。单晶硅的电池转 换效率高、稳定性好，但拉制工艺相对复杂，且对原料要求较严，导致成品电 池成本偏高；非晶硅电池成本低、生产效率高但转换效率也较低，且由于非晶 硅的S-W效应，致使其性能稳定性较差；与上述两者相比，多晶硅电池转换效 率接近单晶硅且制造工艺简单、成本低廉、生产效率高，因而得到了迅速发展， 取代单晶硅成为最主要的太阳能电池材料。

铸锭多晶硅采用定向凝固的方法制备得到，由于掺杂剂硼、磷的分凝，尤 其是过渡金属杂质的分凝系数远小于1，使得多晶硅沿温度梯度方向存在微结构 和性能分布的不均匀。在实际生产中，晶锭开方后头部(后凝固部分)和尾部(先 凝固部分)难以通过外观区分，切片后各种性能差异较大的头尾硅片常不加区分 地一同流入下一步生产，造成后续的档位区分工作量的增加。

目前，现有标识技术均是在多晶硅晶棒一个面或多面进行多次画线标识， 这样会增加硅棒的损伤，导致在后续硅片切割过程中大量碎片。不利于晶锭纵 向的杂质浓度、微观缺陷、少子寿命、电池效率分布规律的研究和热场工艺的 改进，因此寻找一种合适的硅片头尾排序的标识方法，确保硅片在晶棒中所处 位置准确性同时降低因多次标识而导致的大量碎片，从而减少实验中不确定性 因素，提高实验精度。进而有利于反映铸锭热场对晶体质量的影响，改善铸锭 工艺提高晶体质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提出一种铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方 法，克服硅片在加工后无法辨别其所在晶棒中准确位置和因多次标识而导致硅 片在切割过程中大量碎片的问题。

本发明所采用的技术方案为：一种铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法， 包括以下步骤：

1)检测：将开方后的铸锭多晶硅晶棒进行红外和少子寿命检测；

2)截断：综合红外和少子寿命检测结果确定截断位置，进行截断加工；

3)标识：利用激光在截断后晶棒的表面上进行画线标识；

4)磨面：将标识后的晶棒进行磨面抛光；

5)倒角：将磨面后的晶棒进行倒角；

6)粘棒：将倒角后的晶棒粘贴在晶托上，此处的胶粘方式使用固化胶粘贴；

7)切片：将上述晶棒固化一段时间后送入机台进行切片。

具体的，所述的步骤3)中的标识方法为：任意选择晶棒一个表面，从头部 或尾部一个角的顶点出发向其对边画线，所述的画线与对边的交点不大于整个 边长的1/2，画线深度不小于5μm，画线条数不小于2条。

本发明所述的步骤6)中胶粘面为非标识面。

本发明的有益效果是：将铸锭多晶硅晶棒经过本发明标识后进行切片，最 终根据线痕在硅片边缘的位置对硅片进行头尾排序，结果可清晰辨别硅片在晶 棒中所处的位置，且碎片率没有增加。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明晶棒表面标识的示意图。

具体实施方式

现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为 简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明 有关的构成。

首先将开方后的铸锭多晶硅晶棒进行红外和少子寿命检测，综合红外和少 子寿命检测结果确定截断位置，进行截断加工。然后利用激光在截断后晶棒的 表面上进行画线标识。

具体标识的方法如图1所示，选择截断后多晶硅晶棒的一个表面，进行激 光画线。从晶棒头部的一个顶点向其对边画线，第一条线与对边的交点为边长 的1/2，第二条线与对边的交点为边长的1/4。将标识后的晶棒进行磨面、倒角， 选择非标识面为涂胶面进行涂胶粘棒、切片等硅片加工工序，根据线痕在硅片 边缘的位置对加工后的硅片进行头尾排序，结果可清晰辨别硅片在晶棒中所处 的位置，且碎片率与未标识前相同均为5％。

以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式，各种举例说明不对本发 明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以 对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离发明的实质和范围。