[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述衬底表面形成分别位于第一区域的栅极结构及位于第二区域的栅极结构；

形成第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙覆盖第一区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面，所述第二侧墙覆盖第二区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面；

图案化刻蚀所述第二侧墙及衬底，在所述第二侧墙两侧的衬底内形成开口，并在所述开口内形成外延层；

在形成所述外延层前，还包括对所述第一侧墙进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺，以提高所述第一侧墙的密度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙均至少包括位于衬底表面的氧化层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙还包括位于所述氧化层表面的氮化层。

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过沉积工艺或氧化工艺形成所述氧化层。

5.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅，所述氧化硅的前驱体为正硅酸乙酯。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺的离子为氮离子。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入或离子掺杂的能量范围为200ev～10kev，注入浓度或掺杂浓度范围为1E14/cm²～5E16/cm²。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙及第二侧墙工艺包括：在所述衬底表面形成氧化层，对所述氧化层进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺；图案化刻蚀所述氧化层，形成所述第一侧墙和第二侧墙，所述对第一侧墙进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺为所述对氧化层进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙及第二侧墙工艺包括：在所述衬底表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成氮化层；对表面形成有氮化层的氧化层进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺；图案化刻蚀所述氧化层和氮化层，形成所述第一侧墙和第二侧墙，所述对第一侧墙进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺为所述对形成有氮化层的氧化层进行离子注入工艺或者离子掺杂工艺。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙进行离子注入或离子掺杂工艺后，还包括对所述第一侧墙进行退火工艺。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺参数包括：退火气体为氮气或者氮气和氧气的混合气体，退火气体流量为20slm～50slm，退火温度为800℃～1200℃，时间为500μS～120S，反应腔室压力为1Torr～800Torr。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，若所述退火气体为氮气和氧气的混合气体，则所述氧气流量占混合气体的比例不高于10％。

13.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一区域为NMOS区，所述第二区域为PMOS区。