[发明专利]开关组件有效

专利信息
申请号: 201110184754.3 申请日: 2011-06-28
公开(公告)号: CN102280490A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 冉晓雯;陈蔚宗;林建宏;方俊雄 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 开关 组件
【权利要求书】:

1.一种开关组件,包括:

一栅极;

一通道层;

一栅绝缘层,配置于该栅极与该通道层之间;

一源极;

一漏极,该源极与该漏极分别与该通道层接触,且该源极与该漏极彼此分离;以及

一漏电流抑制层,配置于该信道层上,该漏电流抑制层位于该源极与该漏极之间以于该通道层中形成一材料诱发空乏区。

2.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,包括:该漏电流抑制层不与该源极以及该漏极接触。

3.如权利要求2所述的开关组件,其特征在于,包括:该漏电流抑制层为电性浮置。

4.如权利要求2所述的开关组件,其特征在于,包括:该漏电流抑制层为电性耦接于一固定电位。

5.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,包括:该漏电流抑制层与该源极电性连接或与该漏极电性连接。

6.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,包括:该源极与该漏极的材质相同,而该源极以及该漏极的材质与该漏电流抑制层的材质不同。

7.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,包括:该漏电流抑制层的材质包括半导体或金属。

8.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,包括:该信道层的材质包括硅基半导体、锗基半导体或金属氧化物半导体。

9.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,还包括:一配置于该信道层上的蚀刻终止层,其中该源极与该漏极覆盖部分的该蚀刻终止层以及部分的该通道层,而该漏电流抑制层为嵌于该蚀刻终止层中并与该通道层接触。

10.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,还包括:一覆盖该通道层、该源极与该漏极的保护层,其中该通道层为覆盖部分该源极与部分该漏极,而该漏电流抑制层为嵌于该保护层中并与该通道层接触。

11.如权利要求1所述的开关组件,其特征在于,还包括:一覆盖该通道层、该源极、该漏极与该漏电流抑制层的保护层,其中该通道层为覆盖部分该源极与部分该漏极。

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