[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法

权利要求书

1.一种BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的高压器件区域和低压器件区域；

在所述低压器件区域的半导体衬底上形成阻挡层；

形成高压器件的栅氧化层，所述高压器件的栅氧化层覆盖所述高压器件区域的半导体衬底的表面；

去除所述阻挡层，暴露出所述低压器件区域的表面；

形成低压器件的栅氧化层，覆盖所述高压器件的栅氧化层和低压器件区域的半导体衬底的表面，所述低压器件的栅氧化层的厚度小于高压器件的栅氧化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，所述在所述低压器件区域的半导体衬底上形成阻挡层包括：在所述低压器件区域的半导体衬底上形成氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，在所形成所述氮化硅层之前还在所述半导体衬底上形成氧化硅缓冲层。

4.根据权利要求2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，所述在所述低压器件区域的半导体衬底表面上形成阻挡层包括：

在所述半导体衬底上形成氮化硅层；

对所述氮化硅层进行刻蚀，暴露出高压器件区域的表面。

5.根据权利要求1所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为900至所述高压器件的栅氧化层的厚度大于所述低压器件的栅氧化层的厚度为45至

6.根据权利要求1所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，在形成所述阻挡层之前还包括：

在所述高压器件区域的半导体衬底中形成高压器件的阱区并在高压器件的阱区中形成漏极漂移区；

对所述半导体衬底上形成隔离结构；

在所述高压器件的阱区中形成高压器件的沟道区。

7.根据权利要求6所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，在形成所述阻挡层之前还包括在所述半导体衬底上形成外延层，所述在所述高压器件区域的半导体衬底中形成高压器件的阱区包括在所述高压器件区域的外延层中形成高压器件的阱区。

8.根据权利要求1所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，在去除所述阻挡层之后，形成低压器件的栅氧化层之前还包括：在所述低压器件区域的半导体衬底中形成低压器件的阱区。

9.根据权利要求8所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层之前还包括在所述半导体衬底上形成外延层，所述在所述低压器件区域的半导体衬底中形成低压器件的阱区包括在所述低压器件区域的外延层中形成低压器件的阱区。

10.根据权利要求1所述的BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，在形成所述低压器件的栅氧化层之后，还包括：

在所述高压器件的栅氧化层上形成高压器件的栅电极，在所述低压器件的栅氧化层上形成低压器件的栅电极；

在所述高压器件区域的半导体衬底中形成高压器件的源区和漏区，在所述低压器件区域的半导体衬底中形成低压器件的源区和漏区。