[发明专利]热处理装置和热处理方法无效
申请号: | 201110185002.9 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102299047A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 川口义广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;G03F7/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
1.一种热处理装置,对水平输送的基板进行热处理,该热处理装置的特征在于,包括:
基板输送机构,其形成基板输送路径,将所述基板沿所述基板输送路径水平输送;
第一腔室,覆盖所述基板输送路径的规定区间,并形成对在所述基板输送路径输送的所述基板进行热处理的热处理空间;
第一机构,能够将所述第一腔室内加热;
第二机构,对在所述基板输送路径输送的所述基板吹送气体,能够进行局部冷却;
基板检测机构,设置在所述第一腔室的前段,对在所述基板输送路径输送的所述基板进行检测;和
控制机构,被供给所述基板检测机构的检测信号,并切换通过所述第二机构进行的冷却动作的开始/停止,其中
所述控制机构,根据所述基板检测机构的检测信号取得基板的输送位置,针对沿基板输送方向划分的多个基板区域中的每一个基板区域,切换通过所述第二机构进行的冷却动作的开始/停止,
所述基板,通过所述第二机构的冷却动作,被形成为其前部区域和后部区域的温度比中央部区域的温度低的状态,进而通过所述第一机构被进行加热处理。
2.一种热处理装置,对水平输送的基板进行热处理,该热处理装置的特征在于,包括:
基板输送机构,其形成基板输送路径,将所述基板沿所述输送路径水平输送;
第一腔室,覆盖所述基板输送路径的规定区间,并形成对在所述基板输送路径输送的所述基板进行热处理的热处理空间;
第一机构,能够将所述第一腔室内加热;
第二机构,配置于在所述基板输送路径输送的基板的上方或下方,具有能够升降移动的热源,能够使所述热源接近基板而对所述基板进行局部加热;
基板检测机构,设置在所述第一腔室的前段,对在所述基板输送路径输送的所述基板进行检测;和
控制机构,被供给所述基板检测机构的检测信号,并控制所述第二机构具有的热源的升降移动,其中
所述控制机构,根据所述基板检测机构的检测信号取得基板的输送位置,针对沿基板输送方向划分的多个基板区域中的每一个基板区域,控制所述第二机构具有的热源的升降移动,
所述基板,通过所述第二机构的加热动作,被形成为其中央部区域的温度比前部区域和后部区域的温度高的状态,进而通过所述第一机构被进行加热处理。
3.一种热处理装置,对水平输送的基板进行热处理,该热处理装置的特征在于,包括:
基板输送机构,其形成基板输送路径,将所述基板沿所述输送路径水平输送;
第一腔室,覆盖所述基板输送路径的规定区间,并形成对在所述基板输送路径输送的所述基板进行热处理的热处理空间;
第一机构,能够将所述第一腔室内加热;
第二机构,通过在热源与被输送的基板之间形成强制对流,能够对所述基板进行局部加热,其中该热源设置于在所述基板输送路径输送的基板的上方或下方;
基板检测机构,设置在所述第一腔室的前段,对在所述基板输送路径输送的所述基板进行检测;和
控制机构,被供给所述基板检测机构的检测信号,并切换通过所述第二机构进行的强制对流形成动作的开始/停止,其中
所述控制机构,根据所述基板检测机构的检测信号取得基板的输送位置,针对沿基板输送方向划分的多个基板区域中的每一个基板区域,切换通过所述第二机构进行的强制对流形成动作的开始/停止,
所述基板,通过所述第二机构的加热动作,被形成为其中央部区域的温度比前部区域和后部区域的温度高的状态,进而通过所述第一机构被进行加热处理。
4.如权利要求1~3中任一项所述的热处理装置,其特征在于,包括:
第二腔室,沿所述基板输送路径设置在所述第一腔室的后段,覆盖所述基板输送路径的规定区间,并形成对在所述基板输送路径输送的所述基板进行热处理的热处理空间;
第三机构,能够将所述第二腔室内加热;和
基板温度检测机构,分别检测在所述第二腔室内输送的所述基板的前部区域、中央部区域和后部区域的温度,将检测信号供给至所述控制机构,其中
所述控制部,对由所述基板温度检测机构取得的所述基板的前部区域的温度、中央部区域的温度和后部区域的温度进行比较,基于其比较结果,决定通过所述第二机构对每个所述基板区域施加的热量。
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