[发明专利]热处理装置和热处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一边将基板(被处理基板)水平输送一边对上述基板实施热处理的热处理装置和热处理方法。

背景技术

例如，在FPD(平板显示器)的制造中，利用所谓光刻工序来形成电路图案。

具体而言，在玻璃基板等的基板(被处理基板)使规定的膜成膜之后，涂敷作为处理液的光致抗蚀剂(以下称为“抗蚀剂”)来形成抗蚀剂膜，以对应电路图案的方式将抗蚀剂膜曝光，并对其进行显影处理。

然而，近年来，在该光刻工序中，为了提高吞吐量(产量)，大多采用一边将基板以大致水平姿势的状态输送，一边对其被处理面实施抗蚀剂的涂敷、干燥、加热、冷却处理等的各种处理的结构。

例如，在将基板加热、进行抗蚀剂膜的干燥、显影处理后的干燥的热处理装置中，已普及有如专利文献1所公开的方式，一边将基板在水平方向上水平输送，一边利用通过沿输送路径配置的加热器进行加热处理的结构。

在具有这样的水平输送结构的热处理装置中，由于能够一边将多个基板在输送路径上连续地输送一边进行热处理，所以能够期待提高吞吐量。

以12(a)～(d)作为一个例子具体进行说明，图示的热处理装置60具有能够旋转地铺设多个输送辊61而得到的水平的基板输送路径62，并设置沿该基板输送路径62形成有热处理空间的腔室65。在腔室65设置有狭缝状的基板搬入口65a和基板搬出口65b。

即，在基板输送路径62上输送的基板G(G1、G2、G3、……)，被连续地从基板搬入口65a搬入腔室65内实施规定的热处理，然后从基板搬出口65b搬出。

在腔室65内连续地设置有：预加热部63，其对基板G(G1、G2、G3、……)进行预备加热，使基板G升温至规定温度；和主加热器部64，用于维持基板温度进行主加热。

预加热部63具有：设置于各输送辊61之间的下部加热器66和设置在顶部的上部加热器67，主加热器部64具有：设置于各输送辊61之间的下部加热器69和设置于顶部的上部加热器70。

在这样构成的热处理装置60中，为了在预加热部63将基板G加热至规定的温度(例如100℃)，下部加热器66和上部加热器67被设为规定的设定温度(例如160℃)。

另一方面，对于主加热器部64，为了维持已被预加热部63加热的基板G的温度而高效地进行热处理，下部加热器69和上部加热器70被设为规定的设定温度(例如100℃)。

于是，如在图12(a)～(d)的时序状态所示，多个基板G(G1、G2、G3、……)以批次为单位连续地从搬入口65a搬入预加热部63，各基板G在该处被加热至规定温度(例如100℃)。

在预加热部63中升温的各基板G，被接着输送至主加热器部64，在该处基板温度被维持并被实施规定的热处理(例如使抗蚀剂中的溶剂蒸发的处理)，然后被连续地从搬出口65b搬出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-158088号公报

发明内容

发明想要解决的课题

然而，在图12(a)～图12(d)所示的水平输送结构的热处理装置中，经由预加热部63预加热后的基板温度，存在基板G的前部区域和后部区域与中央部的区域不同的倾向。

具体而言，基板G的前部区域在前方没有相连的基板面(吸收、反射辐射热的面)，所以通过基板两面分别接受下部加热器66和上部加热器67的辐射热，温度达到高于中央部区域的高温。

另一方面，对于基板G的后部区域，由于在后方没有相连的基板面(吸收、反射辐射热的面)，所以与前部区域同样地通过基板两面分别接受下部加热器66和上部加热器67的辐射热，温度高于中央部区域。

因此，当在主加热器部64中对已被预加热部63提升温度的基板G实施规定的加热处理时，存在由于基板面内的温度偏差(不均匀)导致配线图案的线宽不均匀的问题。

本发明是基于上述那样的现有技术的问题而完成的，提供一种在一边将基板水平输送一边实施热处理的热处理装置中，能够抑制基板面内的热处理温度的偏差，使基板面内的配线图案的线宽更加均匀的热处理装置和热处理方法。

用于解决课题的技术手段