[发明专利]非晶相陶瓷涂层坩埚及制备方法无效
申请号: | 201110185256.0 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN102312185A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 付少永;张驰;熊震;黄振飞 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | C23C4/10 | 分类号: | C23C4/10;C23C4/12;C30B35/00 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非晶相 陶瓷 涂层 坩埚 制备 方法 | ||
1.一种非晶相陶瓷涂层坩埚,其特征是:在坩埚的内壁具有非晶陶瓷薄膜。
2.一种权利要求1所述的非晶相陶瓷涂层坩埚的制备方法,其特征是:过程如下:
a、高熔点陶瓷粉体喷雾造粒,粒径控制在15-60μm,微观形貌为球形或椭球形;
b、热喷涂制备非晶涂层。
3.根据权利要求2所述的非晶相陶瓷涂层坩埚的制备方法,其特征是:所述的a过程中高熔点陶瓷粉体为氮化硅、氮化硼、氧化锆或锆酸钡高熔点陶瓷粉体,粉体平均粒径1μm,纯度99.99%以上。
4.根据权利要求2所述的非晶相陶瓷涂层坩埚的制备方法,其特征是:所述的b过程中采用等离子喷涂和火焰喷涂工艺进行热喷涂。
5.根据权利要求3所述的非晶相陶瓷涂层坩埚的制备方法,其特征是:所述的b过程实施时需要持续用氮气对坩埚内壁进行冷却。
6.根据权利要求3所述的非晶相陶瓷涂层坩埚的制备方法,其特征是:所述的等离子喷涂工艺的工艺参数为:喷涂电流550A,喷涂电压60V;主气Ar,压强0.55MPa,流量40L/min;喷涂距离100mm,送粉气N2,压强0.3MPa,流量7L/min;喷枪移动速度100mm/s,喷涂遍数6遍。
7.根据权利要求3所述的非晶相陶瓷涂层坩埚的制备方法,其特征是:所述的火焰喷涂工艺的工艺参数为:氧气流量166.7L/min,燃气丙烷流量20L/min,喷涂距离120mm,送粉氮气压强0.6MPa,送粉氮气流量10L/min,喷枪移动速度100/min,喷涂遍数4次。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆