[发明专利]低功耗静态存储器SRAM

权利要求书

1.一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，其特征在于：

电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；

读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路，另外，读写电路也可将ECC改正的值写入存储单元阵列；

ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。

2.根据权利要求1所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，ECC检错纠错电路和读写电路连接，并和电压调节器相连。

3.根据权利要求1所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，电压调节器和偏压管连接，偏压管和存储单元阵列的电源线连接。

4.根据权利要求1所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，存储单元阵列中的存储单元包括电源线，地线，字线，位线和互补位线。

5.根据权利要求4所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，读写电路和存储单元阵列中的位线和互补位线连接。

6.一种减少静态存储器SRAM漏电流的方法，包括以下步骤：

(1)电压调节器控制偏压管把阵列单元的电源电压降低到V0；

(2)电源电压恢复到active模式，读写电路读取阵列中单元的内容，然后把所读内容送入ECC检错纠错电路，若出错，采用ECC纠错，并把改正后的值写回阵列，转到第(4)步；若没有出错，转到第(3)步；

(3)采用电压调节器控制偏压管把阵列单元的电源电压降低到比前一次降低的值小ΔV，转到第(2)步；

(4)将阵列单元的电源电压增加ΔV，阵列进入standby模式。

7.一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，其特征在于：

电压调节器控制偏压管升高或降低存储单元阵列的地电压；

读写电路，用于当地电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路，另外，读写电路也可将ECC改正的值写入存储单元阵列；

ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。

8.根据权利要求7所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，ECC检错纠错电路和读写电路连接，并和电压调节器相连。

9.根据权利要求7所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，电压调节器和偏压管连接，偏压管和存储单元阵列地线连接。

10.根据权利要求7所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，存储单元阵列中的存储单元包括电源线，地线，字线，位线和互补位线。

11.根据权利要求10所述的减少漏电流的静态存储器SRAM系统，其特征在于，读写电路和存储单元阵列中的位线和互补位线连接。

12.一种减少静态存储器SRAM漏电流的方法，包括以下步骤：

(1)电压调节器控制偏压管把存储单元阵列的地电压抬高到V1；

(2)地电压恢复到active模式，读写电路201读取阵列中单元的内容，然后把所读内容送入ECC检错纠错电路202，若出错，采用ECC纠错，并把改正后的值写回阵列，转到第(4)步；若没有出错，转到第(3)步；

(3)采用电压调节器控制偏压管把阵列单元的地电压抬高到比前一次抬高的值大ΔV，转到第(2)步；

(4)将阵列单元的地电压减小ΔV，阵列进入standby模式。