[发明专利]稳定等离子体处理的方法和设备

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻设备，其包括：

处理腔室；

位于所述处理腔室中的衬底支承底座；

用来在所述腔室内形成等离子体的RF电源；和

等离子体稳定器，其位于所述腔室内所述衬底支承底座上方，并适合于控制等离子体的带电物质与电中性物质的空间分布，其中所述等离子体稳定器还包括：

与所述处理腔室电绝缘的平板；

穿过所述平板形成的多个孔眼，其中所述多个孔眼以方格网图案布置；和

将所述平板支撑在所述衬底支承底座上方的多个支柱。

2.如权利要求1所述设备，其中所述RF电源可操作地将电感应耦合至所述处理腔室。

3.如权利要求1所述设备，其中所述等离子体稳定器与地电绝缘。

4.如权利要求1所述设备，其中所述等离子体稳定器的直径大于设置在所述衬底支承底座上的衬底的直径。

5.如权利要求1所述设备，其中所述平板与所述衬底支承底座的衬底支撑表面不平行。

6.如权利要求1所述设备，其中所述平板由陶瓷或石英制造。

7.如权利要求1所述设备，其中所述平板由阳极氧化铝制造。

8.如权利要求1所述设备，其中所述孔眼的直径为约1.25厘米。

9.如权利要求1所述设备，其中所述多个孔眼还包括：多个较大的孔和多个较小的孔。

10.如权利要求1所述设备，其中所述支柱相对于所述衬底支承底座以基本平行的间隔开的关系支撑所述平板。

11.如权利要求1所述设备，其中所述支柱的端耦合到面对所述衬底支承底座的所述平板的底表面并且不延伸出所述平板的面积范围。

12.如权利要求1所述设备，还包括：边缘环，所述边缘环围绕衬底支承底座的上表面的周界布置并且具有从所述边缘环向所述等离子体稳定器延伸的所述多个支撑支柱。

13.一种等离子体蚀刻设备，其包括：

处理腔室；

置于所述处理腔室内的衬底支承底座；

用来在所述处理腔室内形成等离子体的RF电源；和

等离子体稳定器，其位于所述处理腔室内所述衬底支承底座上方，并适合于控制等离子体的带电物质与电中性物质的空间分布，并且所述等离子体稳定器具有的直径大于在所述衬底支承底座上的衬底的直径，其中所述等离子体稳定器还包括：

与所述处理腔室电绝缘的平板；

穿过所述平板形成的多个孔眼，其中所述多个孔眼以方格网图案布置；和

将所述平板支撑在所述衬底支承底座上方的多个支柱，其中所述支柱相对于所述衬底支承底座以基本平行的间隔开的关系支撑所述平板，所述支柱的端耦合到面对所述衬底支承底座的所述平板的底表面并且不延伸出所述平板的面积范围。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述RF电源可操作地将电感应耦合到所述处理腔室。

15.如权利要求13所述的设备，其中所述等离子体稳定器与地电绝缘。

16.如权利要求13所述的设备，所述平板由陶瓷或石英制造。

17.如权利要求13所述的设备，所述平板由阳极氧化铝制造。

18.如权利要求13所述的设备，所述孔眼的直径大约为1.25厘米。

19.如权利要求13所述的设备，所述多个孔眼还包括多个较大的孔和多个较小的孔。

20.如权利要求13所述的设备，还包括：边缘环，所述边缘环围绕所述衬底支承底座上表面的周界布置并且具有从所述边缘环向所述等离子体稳定器延伸的所述多个支撑支柱。