[发明专利]半导体晶片保护膜形成用薄片无效

专利信息
申请号: 201110189312.8 申请日: 2011-07-01
公开(公告)号: CN102382584A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 市六信広;盐野嘉幸 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C09J7/02 分类号: C09J7/02;C09J171/12;C09J179/08;C09J133/08;C09J163/02;H01L21/683
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔香丹;张永康
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 晶片 保护膜 形成 薄片
【权利要求书】:

1.一种半导体晶片保护膜形成用薄片,用于在半导体晶片上形成保护膜,其特征在于,

具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层,并且,该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面上隔开规定间隔来形成有多个,各个保护膜形成层的直径比作为形成前述保护膜的对象的半导体晶片的直径更小100μm至5mm,且固化后的前述保护膜形成层的弹性模量是1GPa至20GPa。

2.如权利要求1所述的半导体晶片保护膜形成用薄片,其中,前述保护膜形成层,具有与前述作为对象的半导体晶片的平面形状相似的平面形状,且依照前述作为对象的半导体晶片的形状而形成有定向平面或缺口。

3.如权利要求1或2所述的半导体晶片保护膜形成用薄片,其中,形成前述保护膜形成层的保护膜形成用组合物,是至少包含以下成分的组合物:

(A)从由苯氧树脂、聚酰亚胺树脂及(甲基)丙烯酸系树脂所构成的群组中选出的至少1种树脂100质量份;

(B)环氧树脂5~200质量份;

(C)填充剂100~600质量份;

(D)有效量的环氧树脂固化催化剂。

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