[发明专利]半导体晶片保护膜形成用薄片

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片保护膜形成用薄片，其用于形成保护膜，该保护膜是在切割半导体晶片时保护半导体晶片背面的膜(薄膜)。

背景技术

为了缩小半导体晶片的构造面积，而使用倒装晶片(flip chip)连接法。该连接法通常采用以下顺序：(1)于半导体晶片的表面形成电路及连接用凸块(bump)，(2)将半导体晶片的背面研磨至预定厚度，(3)切割半导体晶片而获得半导体晶片，(4)将该晶片的电路形成面朝向基板侧并连接于基板后，(5)为了保护半导体晶片而进行树脂密封等。

然而，在(2)研磨工序中，于半导体晶片背面会形成微小的条纹状的伤痕，而有时该伤痕会成为切割工序和进行封装后发生龟裂的原因。于是，已提出一种方法，其在(2)研磨工序后于背面形成保护膜(晶片用保护膜)，以便即使在研磨工序中产生这样的条纹状的伤痕，也不会对随后的工序造成不良影响，并且为了形成这样的保护膜，已提出一种薄片，其是由剥离薄片及形成于其剥离面上的保护膜形成层所构成(日本特开2002-280329号公报、日本特开2004-260190号公报)。

另一方面，已知在上述切割工序中，有时会因旋转刀的震动等而损伤晶片(以下称为“崩裂(chipping)”)。

对于上述晶片用保护膜，目前也期待能防止这样的切割工序中的崩裂。

一般的晶片用保护膜的形成方法是：1)将剥离薄膜自黏着薄片剥离，2)在晶片电路背面黏贴晶片用保护膜及基材薄膜，3)沿着晶片的外周来切割晶片用保护膜及基材薄膜，4)将基材薄膜自晶片用保护膜剥离，5)使晶片用保护膜固化。

然而，在3)的工序中，为了防止薄膜切割刀接触晶片的外周部，而切割比晶片外周更大的薄膜(晶片用保护膜及基材薄膜)，之后，在工序内将基材薄膜剥离后的晶片用保护膜(经固化)的晶片进行处理时，会有超出晶片外的保护膜会脱离而污染晶片的电路面的问题。此外，由于当切割薄膜时只可单纯地切割成圆形，故保护膜形成层会覆盖定向平面(orientation flat)和缺口的部分，而有难以对准晶片的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述原因而研发出的，其目的在于提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，可在不污染晶片上的电路表面的情形下进行光学定向。

为了解决上述问题，本发明提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，用于半导体晶片形成保护膜，所述半导体晶片保护膜形成用薄片的特征在于，具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层，并且，该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面上隔开规定间隔来形成有多个，各个保护膜形成层的直径比作为形成前述保护膜的对象的半导体晶片的直径更小100μm至5mm，且固化后的前述保护膜形成层的弹性模量是1GPa至20GPa。

这样的本发明的半导体晶片保护膜形成用薄片，因为是以比半导体晶片外径更小的外径，具体而言，以比半导体晶片的直径更小100μm至5mm的直径的方式来供给此种保护膜形成层，且弹性模量是1GPa至20GPa，因此保护膜形成层固化后薄膜片不会脱离，而晶片上的电路面不会受到薄膜片污染，并且也可防止崩裂。此外，由于保护膜形成层是于基材薄膜的面上隔开规定间隔来形成，故经由运送一定量的薄膜，即可容易地侦测保护膜形成层的前头。此外，因为在基材薄膜上存在多个保护膜形成层，而可精简作业开始前的准备和试加工。

此外，前述保护膜形成层优选是具有与前述作为对象的半导体晶片的平面形状相似的平面形状，且依照前述作为对象的半导体晶片的形状而形成有定向平面或缺口。

这样的话，保护膜形成层具有与半导体晶片的平面形状相似的平面形状，且依照半导体晶片的形状而形成有定向平面或缺口，则容易进行光学辨识。

此外，形成前述保护膜形成层的保护膜形成用组合物可制作成至少包含以下成分的组合物：

(A)从由苯氧树脂、聚酰亚胺树脂及(甲基)丙烯酸系树脂所构成的群组中选出的至少1种树脂100质量份；

(B)环氧树脂5～200质量份；

(C)填充剂100～600质量份；

(D)有效量的环氧树脂固化催化剂。

是这样的保护膜形成用组合物时，可便宜且容易地形成一种半导体晶片保护膜形成用薄片，其黏着性等保护膜特性优异。