[发明专利]晶体形式的1β甲基碳青霉烯类抗生素中间体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110189981.5 申请日: 2011-07-07
公开(公告)号: CN102690282A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 赵鹏;任鹏;刘逢凯;乔佳敏;谭汉梯 申请(专利权)人: 深圳市海滨制药有限公司
主分类号: C07F7/18 分类号: C07F7/18;C07F9/6561
代理公司: 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 代理人: 曹津燕
地址: 518081 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶体 形式 甲基 青霉 抗生素 中间体 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及1β甲基碳青霉烯类抗生素中间体(式I所示化合物)及其制备方法,具体涉及晶体形式的1β甲基碳青霉烯类抗生素中间体(式I所示化合物)及其制备方法。

其中,PNB表示对硝基苄基。

背景技术

碳青霉烯类抗生素是一组新型的全合成β-内酰胺类抗生素,对革兰氏阳性菌和阴性菌、需氧菌、厌氧菌都有很强的抗菌活性。自从1976年发现硫霉素以来,碳青霉烯类抗生素的研究有了很大的发展。特别是1β甲基碳青霉烯类抗生素,具有良好的化学稳定性,对β-内酰胺霉及肾脱氢肽-I酶稳定,是目前治疗重症及多重耐药菌感染的首选药物之一,在临床上得到了越来越广泛的应用。

目前已经商品化的碳青霉烯类抗生素包括美罗培南、比阿培南、多尼培南、厄他培南等。已有较多文献报道了这些1β甲基碳青霉烯类抗生素的合成方法,其中有一个共同特点,都是由1β甲基碳青霉烯母核(III)与相应的侧链偶合,再经过脱保护而得。

上述1β甲基碳青霉烯母核的合成路线有很多种,如深圳海滨制药有限公司的合成路线(CN1948312A)及Lederle Ltd.的合成路线(USP4990613)等等。这些工艺一般都是经中间体(II)水解后再进行叠氮化反应,再经过一系列反应后才能得到1β甲基碳青霉烯母核。由于反应路线较长,中间体如果不经提纯直接反应,在多步反应后一系列中间体均为油状物,必须通过过层析硅胶柱等方法进行提纯,以保证最终产品的纯度。

其中,PNB表示对硝基苄基。

上述这些生产方式不仅耗时耗能,也很难得到合格的产品,所以中间体的分离提纯显得尤其重要。因此,还有必要进一步改进1β甲基碳青霉烯类抗生素中间体的合成工艺。

发明内容

因此,本发明的目的是,提供1β甲基碳青霉烯类抗生素中间体,即式I化合物的晶体。

本发明的另一个目的是,提供上述式I化合物的晶体的制备方法。

本发明的又一个目的是,提供一种1β甲基碳青霉烯类抗生素的制备方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的。一方面,本发明提供一种式I化合物的晶体A,所述晶体的X射线衍射图谱中包括以下2θ角所示的X射线衍射峰:11.65°±0.1°和16.55°±0.1°

其中,PNB表示对硝基苄基。

优选地,所述式I化合物晶体A的X射线衍射图谱中还包括以下2θ角所示的X射线衍射峰:18.95°±0.1°、12.95°±0.1°、17.75°±0.1°、7.70°±0.1°和20.20°±0.1°。

优选地,所述式I化合物晶体A的X射线衍射图谱基本上如图1所示。

本发明还提供了一种式I所示化合物的晶体B,所述晶体的X射线衍射图谱中包括以下2θ角所示的X射线衍射峰:13.25°±0.1°、19.00°±0.1°和17.20°±0.1°。

优选地,所述晶体B的X射线衍射图谱中还包括以下2θ角所示的X射线衍射峰:16.55°±0.1°、20.10°±0.1°、16.20°±0.1°、23.40°±0.1°、24.70°±0.1°和11.95°±0.1°;优选地,所述晶体B的X射线衍射图谱中进一步还包括以下2θ角所示的X射线衍射峰:14.85°±0.1°、5.75°±0.1°、30.15°±0.1°、24.00°±0.1°、13.75°±0.1°、26.10°±0.1°、22.50°±0.1°、17.85°±0.1°、7.75°±0.1°、30.55°±0.1°和11.55°±0.1°。

优选地,所述式I所示化合物晶体的X射线衍射图谱基本上如图2所示。

另一方面,本发明提供了一种制备上述式I化合物晶体的方法,所述方法包括以下步骤:1)将式II化合物晶体或者含有式II化合物的有机溶液加入至有机溶剂中,在碱性条件下与叠氮化合物反应,得到含有式I化合物的有机溶液,具体反应如下:

2)将步骤1)所得到的含有式I化合物的有机溶液进行选自如下之一的操作:a)浓缩,得到式I化合物的油状物,加入极性有机溶剂使其溶解,再加入非极性有机溶剂并降温至-20℃~30℃,优选为-5℃~5℃使其趋于完全结晶,从而获得式I化合物的晶体A;或者

b)浓缩至干,加入有机溶剂于-30℃~50℃下进行重结晶,优选为-20℃~35℃,从而获得式I化合物的晶体B。

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