[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110190981.7 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102867819A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;张超雄 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，包括：
一绝缘基板，具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面；
二电极层，设于该绝缘基板的第一表面；
一个或多个发光二极管芯片，位于其中一电极上并且与该二电极电性连接；及
一封装层覆盖于该若干发光二极管芯片上；
其特征在于：该发光二极管封装结构还包括一稳压模组，该稳压模组围设贴合在其中一电极层的外围，另一电极层围设贴合在该稳压模组的外围，该稳压模组与二电极层电性连接并与发光二极管芯片反向并联。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述稳压模组包括第一电性掺杂层、第二电性掺杂层，该第一、第二电性掺杂层由磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植方式制作而成，二电极层分别与第一、第二电性掺杂层中的其中之一电性连接。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基板的材料包括硅、砷化镓、氧化锌及磷化铟的其中之一。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述围设该稳压模组外围的电极层延伸至该绝缘基板的第二表面。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：被稳压模组围设的电极层延伸至该绝缘基板的第二表面。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该绝缘基板第一表面形成凸状结构，该稳压模组掺杂形成于该凸状结构中。
7.一种发光二极管封装结构的制造方法，其步骤包括：
提供一绝缘基板，具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面；
该绝缘基板上围设形成一稳压模组；
提供二电极层，该二电极层设置在绝缘基板上，该稳压模组围设贴合在其中一电极层的外围，另一电极层围设贴合在该稳压模组的外围，并且该二电极层分别与稳压模组电性连接；
提供一个或多个发光二极管芯片，该发光二极管芯片设置在其中一电极层上，与二电极层电性连接，并与稳压模组反向并联；
提供一封装层，该封装层为一透光结构并覆盖在该若干发光二极管芯片上。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述稳压模组包括以磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植的方式形成的一第一电性掺杂层及一第二电性掺杂层，且第一、第二电性掺杂层分别与二电极层的其中之一电性连接。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基板的材料包括硅、砷化镓、氧化锌及磷化铟的其中之一。
10.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述围设该稳压模组外围的电极层延伸至该绝缘基板的第二表面。
11.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：被稳压模组围设的电极层延伸至该绝缘基板的第二表面。
12.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该绝缘基板第一表面形成凸状结构，该稳压模组掺杂形成于该凸状结构中。
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