[发明专利]等离子体蚀刻方法无效
| 申请号： | 201110191042.4 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102254813A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 松山昇一郎;本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027;G03F1/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：
该等离子体蚀刻方法以ArF光致抗蚀剂作为掩模，利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的被蚀刻层进行蚀刻，其中，
所述被蚀刻层为氮化硅层或者氧化硅层，
所述处理气体含有PFC气体和CF3I气体，
所述CF3I气体的流量是，以相对于所述PFC气体的全部气体流量为1/3以上的流量添加所述CF3I气体，并且，
向所述被处理基板施加13.56MHz以下的第一频率的高频偏压。
2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述第一频率的高频偏压电力为500W以上。
3.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：
该等离子体蚀刻方法以ArF光致抗蚀剂作为掩模，利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的被蚀刻层进行蚀刻，其中，
所述被蚀刻层为氮化硅层或者氧化硅层，
所述处理气体至少含有CF3I气体，
向载置所述被处理基板的下部电极施加具有13.56MHz以下的频率的高频电力，
所述被蚀刻层具有由线和间隔形成的蚀刻图案，作为线的宽度与间隔的宽度之比的线的宽度/间隔的宽度为1/1的致密图案和1/10以下的稀疏图案混合存在。
4.如权利要求3所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
向所述下部电极施加具有所述13.56MHz以下的频率的高频电力，并且施加具有27MHz以上的频率的第二高频电力。
5.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
在所述被处理基板上还施加比所述第一频率大的第二频率的高频偏压。
6.如权利要求5所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述第二频率是27MHz以上。
7.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述被蚀刻层具有由线和间隔形成的蚀刻图案，作为线的宽度与间隔的宽度之比的线的宽度/间隔的宽度为1/1的致密图案和1/10以下的稀疏图案混合存在。
8.如权利要求3或4所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述处理气体含有PFC气体，
所述CF3I气体的流量是，以相对于所述PFC气体的全部气体流量为1/3以上的流量添加所述CF3I气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
