[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

在半导体衬底中形成的第一导电类型的第一阱区域；

在半导体衬底中形成且布置在与第一阱区域相邻的区域中的第二导电类型的外延区域；

在外延区域的下部的区域中形成且具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电类型的掩埋区域；

在第一阱区域和外延区域之间以及在第一阱区域和掩埋区域之间的边界形成的沟槽；

在第一阱区域上形成且具有第二导电类型的源极和漏极区域的第一半导体元件；以及

在外延区域上形成且具有第一导电类型的源极和漏极区域的第二半导体元件，

其中半导体衬底具有比第一阱区域的杂质浓度高的杂质浓度，且沟槽形成为比第一阱区域和掩埋区域深。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中半导体衬底的杂质浓度是第一阱区域的杂质浓度的3倍至10倍。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中掩埋区域的杂质浓度是外延区域的杂质浓度的100倍至1000倍。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在第一阱区域或外延区域中形成用于隔离第一或第二半导体元件的浅沟槽。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中半导体衬底和外延区域形成二极管以保护第二半导体元件。

6.一种半导体器件的制造方法，该方法包括：

在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的外延区域的步骤；

在外延区域中形成沟槽的步骤，该沟槽比外延区域深；

在外延区域中且与沟槽相邻的区域中形成第一导电类型的第一阱区域的步骤；

在外延区域的下部与沟槽相邻且与第一阱区域一起夹置沟槽的区域中形成第二导电类型的掩埋区域的步骤，该掩埋区域具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度；

在第一阱区域上形成第二导电类型的源极和漏极区域的步骤；以及

在外延区域上形成第一导电类型的源极和漏极区域的步骤，

其中半导体衬底具有比在形成第一阱区域的步骤中形成的第一阱区域的杂质浓度高的杂质浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中半导体衬底的杂质浓度是在形成第一阱区域的步骤中形成的第一阱区域的杂质浓度的3倍至10倍。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中在形成掩埋区域的步骤中形成的掩埋区域的杂质浓度是在形成外延区域的步骤中形成的外延区域的杂质浓度的100倍至1000倍。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在第一阱区域或外延区域中，形成用于将源极和漏极区域与其他区域隔离的浅沟槽的步骤。