[发明专利]化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺

权利要求书

1.一种化学钯金镀膜结构，其位于一焊垫上，该化学钯金镀膜包含有：

一钯镀层，其位于该焊垫上；以及

一金镀层，其位于该钯镀层上。

2.如权利要求1的化学钯金镀膜结构，其特征在于，该钯镀层是利用置换型或置换型搭配还原型反应所形成，该金镀层是置换型、还原型或者半置换半还原型反应所形成。

3.一种化学钯金镀膜的制作方法，其步骤包含有：

提供一焊垫；

利用置换反应于该焊垫上形成一置换型钯镀层；以及

利用置换型、还原型或者半置换半还原型反应于该置换型钯镀层上形成一金镀层。

4.如权利要求3的方法，其特征在于，该焊垫的材质为铜，该置换型钯镀层的材质是纯钯或者是钯磷合金。

5.如权利要求3的方法，其特征在于，其在温度为25℃～95℃，酸碱值为pH4～9进行。

6.如权利要求3的方法，其特征在于，该置换型钯镀层的厚度为0.03～0.2微米，该金镀层的厚度为0.03～0.2微米。

7.如权利要求3的方法，其特征在于，其应用于低阶但线路密集度高的电子产品封装工艺。

8.如权利要求3的方法，其特征在于，在形成该金镀层前还包括一利用还原反应于该置换型钯镀层上形成一还原型钯镀层的步骤。

9.如权利要求8的方法，其特征在于，该置换型钯镀层的厚度加上该还原型钯镀层的厚度为0.03～0.2微米，该金镀层的厚度为0.03～0.2微米。

10.一种化学钯金镀膜的制作方法，其步骤包含有：

提供一焊垫；

使用一兼具触媒钯与化学钯效用的溶液同时进行置换与还原反应，以于该焊垫上形成一钯镀层；以及

利用置换型、还原型或者半置换半还原型反应于该钯镀层上形成一金镀层。

11.如权利要求10的方法，其特征在于，该焊垫的材质为铜，该钯镀层的材质是纯钯或者是钯磷合金。

12.如权利要求10的方法，其特征在于，其于温度为25℃～95℃，酸碱值为pH 4～9进行。

13.如权利要求10的方法，其特征在于，该钯镀层的厚度为0.03～0.2微米，该金镀层的厚度为0.03～0.2微米。

14.如权利要求10的方法，其特征在于，其应用于低阶但线路密集度高的电子产品封装工艺。

15.一种铜线或钯铜线的封装结构，其包含有：

一焊垫；

一钯镀层，其位于该焊垫上；

一金镀层，其位于该钯镀层上；以及

一铜线或钯铜线，其打线接合于该金镀层上。

16.如权利要求15的封装结构，其特征在于，该焊垫的材质为铜，该钯镀层的材质为纯钯或者是钯磷合金。

17.如权利要求15的封装结构，其特征在于，该钯镀层包含有一置换型钯镀层与一还原型钯镀层。

18.如权利要求15的封装结构，其特征在于，该钯镀层的厚度为0.03～0.2微米，该金镀层的厚度为0.03～0.2微米。

19.一种铜线或钯铜线的封装工艺方法，其包含有下列步骤：

提供一焊垫；

于该焊垫上形成一钯镀层；

于该钯镀层上形成一金镀层；以及

于该金镀层上打线接合一铜线或钯铜线。

20.如权利要求19的方法，其特征在于，于该焊垫上形成该钯镀层的步骤还包括有：

利用置换反应于该焊垫上先形成一置换型钯镀层；以及

利用还原反应于该置换型钯镀层上形成一还原型钯镀层。

21.如权利要求19的方法，其特征在于，该焊垫的材质为铜，该钯镀层的材质为纯钯或者是钯磷合金。

22.如权利要求19的方法，其特征在于，形成该钯镀层与该金镀层的步骤于温度为25℃～95℃、酸碱值为pH 4～9进行。

23.如权利要求19的方法，其特征在于，该钯镀层的厚度为0.03～0.2微米，该金镀层的厚度为0.03～0.2微米。