[发明专利]氧化物掺杂的中低温混合导体透氧膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110192796.1 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102367209A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 金万勤;张广儒;刘郑堃;董学良;徐南平 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/32;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;袁正英 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 掺杂 低温 混合 导体 透氧膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.氧化物掺杂的中低温混合导体透氧膜材料，其特征在于该材料为钙钛矿型氧化物与简单金属氧化物的组合物；其中钙钛矿型氧化物的通式为C1-xC’xDyD’1-yO3-δ，0≤x＜1，0≤y＜1，-0.5＜δ＜0.5，C、C’均为La、Pr、Nd、Sm、Gd、Ba或Sr中的任意一种元素，D、D’均为Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn或Bi任意一种元素；简单金属氧化物为氧化钒、氧化铌、氧化铊、氧化铬或氧化钼中的一种；其中简单氧化物的掺杂重量占组合物总重量的0.01～15％。
2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于所述的钙钛矿型氧化物是由溶胶-凝胶法、固相反应法、水热法或共沉淀法合成。
3.根据权利要求1中所述的材料，其特征在于所述的简单氧化物的掺杂重量占组合物总重量的0.1～10％。
4.根据权利要求3中所述的材料，其特征在于所述的简单氧化物的掺杂重量占组合物总重量的0.1～0.9％。
5.一种制备如权利要求1所述的氧化物掺杂的中低温混合导体透氧膜材料，具体步骤如下：
按照简单氧化物的掺杂重量占组合物总重量的0.01～15％将简单氧化物与钙钛矿型氧化物粉体混合，加入溶剂球磨2-10小时，转速450-550rpm，然后在空气中干燥；将干燥后的粉料置于坩埚内，在850-1000℃空气气氛中焙烧2-10小时得到透氧膜材料。
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