[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一基板；

在所述第一基板上的导电图案，所述导电图案设置为层叠地从所述第一基板竖直地延伸；

在所述第一基板上的有源柱，从所述第一基板穿过所述导电图案竖直地延伸，以在所述第一基板上提供竖直的串晶体管；

在所述导电图案和所述有源柱上的第二基板，与所述第一基板相对；以及

外围电路晶体管，在与所述第一基板相对的所述第二基板上，其中所述外围电路晶体管邻近并重叠所述导电图案中的最上面的图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

数据存储层，设置在所述导电图案与所述有源柱之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一基板还包括阱区和源极区。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述有源柱从所述阱区竖直地延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述有源柱包括导电类型与所述阱区相同的主体部分以及导电类型与所述阱区不同的漏极区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第一基板上的第一层间绝缘层，覆盖所述导电图案和所述有源柱；

在所述第二基板上的第二层间绝缘层，覆盖所述外围电路晶体管；以及

粘合层，插置在所述第二基板与所述第一层间绝缘层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一基板还包括覆盖所述导电图案和所述有源柱的第一层间绝缘层，并且所述第二基板还包括覆盖所述晶体管的第二层间绝缘层；以及

粘合层，插置在所述第一层间绝缘层与所述第二层间绝缘层之间。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

制备包括导电图案和有源柱的第一基板，所述导电图案设置成竖直层叠，该竖直层叠包括在每个所述导电图案之间的插置绝缘图案，所述有源柱穿过所述导电图案竖直地延伸；

形成覆盖所述第一基板的第一层间绝缘层，该第一基板具有所述导电图案和所述有源柱；以及

在所述第一层间绝缘层上形成第二基板，所述第二基板包括邻近并重叠最上面的导电图案的外围电路晶体管。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第二基板包括：

通过在所述第二基板与所述第一层间绝缘层之间插置粘合层，在所述第一层间绝缘层上接合所述第二基板；以及

在所述第二基板上形成所述外围电路晶体管。

10.根据权利要求9所述的方法，在接合所述第二基板之后，还包括：

在所述第二基板中形成氢离子注入层；以及

去除所述氢离子注入层以及在所述氢离子注入层上的第二基板。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成连接到所述外围电路晶体管的接触插塞和金属线。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

形成覆盖所述第二基板的第二层间绝缘层，所述第二基板包括所述接触插塞和所述金属线。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述第二基板上形成层叠的第二导电图案，该第二导电图案与所述外围电路晶体管横向间隔开并且具有插置在每个所述第二导电图案之间的绝缘图案；以及

形成穿过所述第二导电图案竖直地延伸的第二有源柱。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成所述第二基板包括：

制备具有所述外围电路晶体管的所述第二基板；

形成覆盖所述第二基板的第二层间绝缘层，其中所述第二基板包括所述外围电路晶体管；以及

通过在所述第一层间绝缘层与所述第二层间绝缘层之间插置粘合层，在所述第一层间绝缘层上接合所述第二基板。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一基板还包括阱区和源极区，其中所述有源柱从所述阱区竖直地延伸。