[发明专利]包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法无效

申请号：	201110196674.X	申请日：	2011-07-08
公开（公告）号：	CN102760757A	公开（公告）日：	2012-10-31
发明（设计）人：	苏国辉;陈逸男;刘献文	申请（专利权）人：	南亚科技股份有限公司
主分类号：	H01L29/43	分类号：	H01L29/43;H01L29/41;H01L21/768
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司 72003	代理人：	冯志云;郭晓东
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	包含电路连线集成电路结构及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构，其特征在于，包括：

一铜层(16)；

一包含氮化硅铜层(501)的阻障层(50A)，设置于该铜层(16)上；

一铝层(52)，设置于该阻障层(50A)的上方相对位置；及

一湿润层(56)，设置于该阻障层(50A)与该铝层(52)之间。

2.根据权利要求1所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构，其特征在于：该集成电路结构另包括一介电层，设置于该铜层(16)上，该介电层具有一孔洞(20)，该孔洞(20)显露该铜层(16)，该阻障层(50A)覆盖显露的该铜层(16)。

3.根据权利要求1所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构，其特征在于：该集成电路结构另包括一基板(12)，该基板(12)包括一第一介电层(14)及一第二介电层(18)，该铜层(16)设置于该第一介电层(14)中，该第二介电层(18)设置于该第一介电层(14)及该铜层(16)上且形成一孔洞(20)，该孔洞(20)显露该铜层(16)，该阻障层(50A)覆盖显露的该铜层(16)。

4.根据权利要求3所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构，其特征在于：该基板(12)另包括设置于该第一介电层(14)下方的硅基板、导体及绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构，其特征在于：该湿润层(56)为一钛层或一氮化钽层。

6.根据权利要求1所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构，其特征在于：该阻障层(50A)另包括一氮化钛层(502)，该氮化钛层(502)设置于该氮化硅铜层(501)与该湿润层(56)之间。

7.一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一铜层(16)；

形成一包含氮化硅铜层(501)的阻障层(50A)于该铜层(16)上；

形成一湿润层(56)于该阻障层(50A)上；及

形成一铝层(52)于该湿润层(56)上。

8.根据权利要求7所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构的制备方法，其特征在于，形成该氮化硅铜层(501)的工艺包含以下步骤：

进行一第一处理程序，以一含硅源处理该铜层(16)以形成一硅铜层(501A)于该铜层(16)上；及

进行一第二处理程序，以一含氮源处理该硅铜层(501A)以形成该氮化硅铜层(501)于该铜层(16)上。

9.根据权利要求8所述的包含铜-铝电路连线的集成电路结构的制备方法，其特征在于：该含硅源为硅烷。