[发明专利]制造介质的方法和制造工件的系统

权利要求书

1.一种制造介质的方法，包括：

在衬底上形成记录介质；

与该衬底相背地在该记录介质上沉积外涂层，该外涂层具有第一表面构造；以及然后

蚀刻该外涂层从而去除材料并为该外涂层提供第二表面构造，该第二表面构造比该第一表面构造更光滑。

2.如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻之后，该外涂层的第二表面构造不被机械抛光来进一步平坦化该外涂层。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积发生在包括不活泼气体的真空中，蚀刻包括离子束蚀刻，且该第二表面构造比该第一表面构造光滑15％至35％。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积发生在包括不活泼气体和反应气体的真空中，所述不活泼气体和反应气体包括氮、氢、氧、氙、氪、氖和CO₂中的至少一种，该第二表面构造比该第一表面构造光滑20％至30％。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积和蚀刻顺序发生于原位干法真空工艺中，该记录介质是垂直磁记录介质，该外涂层是碳外涂层。

6.如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻之后，还包括在该第二表面构造上沉积第二外涂层，该第二外涂层是基本具有该第二表面构造的第二碳外涂层。

7.如权利要求6所述的方法，其中该第二外涂层不被机械处理来进一步平坦化该第二外涂层。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第二表面构造具有0.20至的平均高度，且蚀刻包括0.1至40秒持续时间的尖峰去除。

9.如权利要求1所述的方法，其中该第二表面构造具有0.24至的平均高度，蚀刻包括3至30秒持续时间的尖峰去除。

10.如权利要求1所述的方法，其中与具有未蚀刻碳外涂层的介质相比，蚀刻将记录头触地功率改善了1至20mW，且将未蚀刻介质的覆写改善了0.5至3dB。

11.如权利要求1所述的方法，其中与具有未蚀刻碳外涂层的介质相比，蚀刻将记录头触地功率改善了6至15mW，且将信噪比改善了0.1至2dB。

12.如权利要求1所述的方法，其中与具有未蚀刻碳外涂层的介质相比，蚀刻将信噪比改善了0.5至1.0dB，将低频振幅改善了1％至20％，且将位误码率改善了10％至20％。

13.一种制造工件的系统，包括：

溅射系统，具有用于制造工件的多个工艺台；以及

所述工艺台中的至少一个是外涂层工艺台，其沉积外涂层在工件上从而为工件提供第一表面构造，且随后蚀刻该外涂层从而为该外涂层提供第二表面构造，该第二表面构造比该第一表面构造更光滑。

14.如权利要求13所述的系统，其中所述工艺台中的所述至少一个包括用于沉积所述外涂层的第一外涂层工艺台，以及用于离子束蚀刻该外涂层的第二外涂层工艺台。

15.如权利要求13所述的系统，其中该工件包括磁介质、固态存储器、半导体、磁随机存取存储器或太阳能薄膜，且在蚀刻之后该外涂层的第二表面构造不被机械处理来进一步平坦化该外涂层。

16.如权利要求13所述的系统，其中所述工艺台中的所述至少一个包括原位干法真空工艺，其使用不活泼气体和反应气体，所述不活泼气体和反应气体包括氮、氢、氧、氙、氪、氖、CO₂中的至少一种，该外涂层是碳外涂层。

17.如权利要求13所述的系统，其中所述工艺台中的所述至少一个沉积第二外涂层在该第二表面构造上，该第二外涂层是基本具有该第二表面构造的第二碳外涂层。

18.如权利要求13所述的系统，其中该第二表面构造比该第一表面构造光滑15％至35％，该第二表面构造具有0.20至的平均高度，蚀刻包括0.1至40秒的持续时间的尖峰去除。

19.如权利要求13所述的系统，其中与具有未蚀刻碳外涂层的介质相比，蚀刻将记录头触地功率改善1至20mW，将未蚀刻介质的覆写改善了0.5至3dB。

20.如权利要求13所述的系统，其中与具有未蚀刻碳外涂层的介质相比，蚀刻将信噪比改善0.5至1.0dB，将低频振幅改善了1％至20％，且将位误码率改善了10％至20％。