[发明专利]制造介质的方法和制造工件的系统

说明书

技术领域

本发明总地涉及硬盘驱动器，更特别地，涉及制造介质的系统和方法。

背景技术

硬盘驱动器中对更高面密度的需求要求头和盘介质之间的界面的磁间距持续减小。从磁记录介质的观点来说，减小磁间距的严峻挑战在于减小盘介质上的碳外涂层厚度的固有极限。

常规制造技术的一个限制是它们产生的表面粗糙度。粗糙表面减小了常规涂层执行其提供本征覆盖功能的能力，这导致对盘介质的腐蚀。此外，粗糙介质提供对于头的更小的间隙。机械抛光工艺诸如末级带抛光(final tape polish)或擦磨抛光能使表面光滑。然而，那些工艺也去除了居于介质盘的形貌峰上的外涂层材料，这又能导致腐蚀问题。因此，表面光滑度设计和增强对盘介质的覆盖的外涂层工艺这两方面的改善一直受到关注。

发明内容

公开了制造介质的系统和方法的实施例。在一些实施例中，制造盘介质的方法包括在衬底上形成记录介质。外涂层背对衬底地沉积于记录介质上。外涂层具有第一表面构造(surface finish)。

外涂层被蚀刻以去除一些外涂层材料且提供更光滑的表面。第二外涂层表面构造比第一表面构造更光滑。蚀刻可包括离子束蚀刻。外涂层的第二表面构造可以在蚀刻之后不需要机械抛光来进一步平坦化外涂层。沉积和蚀刻可以在原位干法真空工艺中顺序发生。

在另一些实施例中，沉积发生于包括不活泼气体和反应气体的真空中。在蚀刻步骤之后，该方法还可包括沉积第二外涂层于第二表面构造上。第二外涂层基本可具有该第二表面构造，且可以不需要通过机械、蚀刻和任何其他工艺的进一步平坦化。

这些实施例的前述和其他目标和优点将在参考下面结合所附权利要求和附图进行的详细描述后对本领域普通技术人员变得显然。

附图说明

参照附图所示的本发明的实施例阅读下面更具体的描述，可以更详细地理解获得实施例的特征和优点的方式。然而，附图仅示出一些实施例且因此不应视为范围上的限制，因为可以有其他等效实施例。

图1A和1B是用于制造介质的工艺的实施例的示意性等距视图；

图2和3是对于盘介质的各种实施例的两类表面构造参数Rv(max)和Rq的曲线图，描绘了由于蚀刻工艺引起的表面粗糙度变化；以及

图4是曲线图，比较了常规盘介质和盘介质实施例的飞行高度控制性能。

相同附图标记在不同图中的使用表明类似或相同的项目。

具体实施方式

公开制造介质的系统和方法的实施例。如图1A和1B所示，制造介质11诸如磁记录盘介质的方法的一实施例包括在衬底15上形成记录介质13。例如，记录介质13可包括垂直磁记录(PMR)介质，其具有软磁衬层17、交换中断层19和记录层21。取决于应用，这些层可包括多个子层。这里公开的实施例也适用于本领域普通技术人员所知的其他类型的介质。

外涂层23背对衬底15地沉积于记录介质13上。沉积可发生于包括不活泼气体诸如氩等的真空中。外涂层可包括碳外涂层(COC)诸如非晶碳或类金刚石碳(DLC)、Si氮化物、Si碳化物等。如图所示，外涂层具有第一表面构造25(图1A)，第一表面构造25具有峰和谷。

外涂层23然后经蚀刻27以去除至少一些外涂层材料。蚀刻27可包括离子束蚀刻。蚀刻27为外涂层23提供第二表面构造29(图1B)，第二表面构造29比第一表面构造25(图1A)更光滑。在蚀刻之后，外涂层23的第二表面构造29可以不被进一步机械抛光(例如末级带抛光等)来进一步平坦化该外涂层。沉积和蚀刻可在原位干法真空工艺中顺序发生。

在另一些实施例中，蚀刻发生于包括不活泼气体和至少一种反应气体诸如掺杂剂的真空中。例如，反应气体和不活泼气体可包括氮、氢、氧、氙、氪、氖、CO₂、或它们的任何组合。在蚀刻步骤之后，该方法还可包括沉积第二外涂层31(图1B)于第二表面构造29上。第二外涂层31也可以是碳外涂层。第二外涂层31基本可具有第二表面构造29，如图所示。在一些实施例中，第二外涂层31可以不需要通过机械、蚀刻和任何其他工艺的进一步平坦化。