[发明专利]光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘

说明书

本申请是申请日为2004年11月30日、申请号为200480035687.7(国际申请号为PCT/JP2004/018098)、发明名称为“光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种通过使用无机光刻胶膜制造的光盘用母盘的制造方法，并且涉及该光盘用母盘。

背景技术

近年来，与实现光盘大容量相关，低于约几十纳米的图案精度对于光器件等的微细制备是必需的。为了实现这样的高精度，在诸如光源、光刻胶材料、步进机等的各领域都在进行开发。

缩短曝光光源波长的方法，以及使用精确会聚的电子束或离子束的方法等作为改善微细制备尺寸精度的方法是有效的。然而，由于具有短波长曝光光源或电子束和离子束照射光源的装置极其昂贵，这样的方法不适于提供价格适度的器件。

因此，提出了设计照射方法的方法，以及使用被称为相移掩膜的特殊掩膜的方法等作为使用与现有曝光装置相同的光源同时改善微细制备尺寸精度的方法。作为再一种方法，尝试了通过多层形成光刻胶的方法，以及使用无机光刻胶的方法等。

目前，例如通常使用一种曝光方法，其中把诸如novolak系统光刻胶、化学感光光刻胶等的有机光刻胶和作为曝光光源的紫外线组合。尽管有机光刻胶具有通用性并且广泛用于光刻领域，由于其分子重量大，曝光部分和非曝光部分之间的边界部分的图案变得模糊，并且对微细制备精度有限制。

另一方面，在无机光刻胶中，由于其分子重量小，在曝光部分和非曝光部分之间的边界部分获得清晰图案，并且可以实现比有机光刻胶精度更高的制造。例如，一个微细制备的实例是其中MoO₃、WO₃等用作光刻胶材料，离子束用作曝光光源(参考Nobuyoshi Koshida，Kazuyoshi Yoshida，Shinichi Watanuki，Masanori Komuro和Nobufumi Atoda的文献“50-nm Metal Line Fabrication by Focused Ion Beam and Oxide Resists”，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.30(1991)，pp3246)。另一个制造实例是其中SiO₂用作光刻胶材料，电子束用作曝光光源(参考Sucheta M.Gorwadkar，Toshimi Wada，Satoshi Hiraichi，Hiroshi Hiroshima，Kenichi Ishii和Masanori Komuro的文献“SiO₂/c-Si Bilayer Electron-Beam Resist Process for Nano-Fabrication”，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.35(1996)，pp6673)。此外，还分析了一种方法，其中硫属化物玻璃用作光刻胶材料，并且波长为476nm和532nm的激光和来自汞氙灯的紫外线用作曝光光源(例如，参考S.A.Kostyukevych的文献“Investigations and modeling of physical processes in an inorganic resist for use in UV and laser lithography”，SPIE Vol.3424(1998)，pp20)。

然而，在使用电子束或离子束作为曝光光源的情况下，尽管如上所述可以组合许多种无机光刻胶材料，并且也可以通过精确会聚电子束或离子束微细制备凹图案和凸图案，如上文所述，具有电子束和离子束照射光源的装置很昂贵并且结构复杂，因此它不适于提供价格适度的光盘。

根据这些原因，期望可以使用来自内置于现有曝光装置中的激光装置等的光，即紫外线或可见光。然而，在无机光刻胶材料中，作为可以由紫外线等切割的材料，仅公开了上文所述的硫属化物材料。这是因为在除了硫属化物材料以外的无机光刻胶材料中，透射诸如紫外线等的光，光能量的吸收量非常小，从而这是不实用的。

尽管现有曝光装置和上文所述的硫属化物材料的组合从经济角度来看是一种实用的结合，但是存在这样一个问题，即硫属化物材料含有对人体有害的如Ag₂S₃、Ag-As₂S₃、Ag₂Se-GeSe等材料。因此，从工业生产的角度来说很难使用这样的材料。