[发明专利]测量硅基液晶成像芯片光电特性曲线的装置

说明书

技术领域

 本发明涉及测量硅基液晶成像芯片（LCOS，Liquid Crystal On Silicon）光电参数的测量装置。

背景技术

硅基液晶是LCD与CMOS集成电路有机结合的显示技术,其结构是在硅片上利用半导体技术蚀刻驱动面板,研磨并镀铝作为反射镜,形成CMOS基板,再与ITO玻璃贴合并注入液晶。硅基液晶在高清图像显示领域应用越来越广泛，它拥有独特的技术优势。然而，该显示行业发展相对缓慢，其主要原因在于硅基液晶成像芯片的生产工艺难以控制，产品良率较低，导致生产成本过高。

常规的硅基液晶成像芯片的生产工艺流程大致分三个阶段：

第一阶段：原材料清洗——原材料表面镀膜——设置胶框——贴合处理——固化胶框；

第二阶段：切割——灌晶——封口——脱脂清洗；

第三阶段：定位——焊线——封胶——包装。

本测量技术应用在第二生产阶段与第三生产阶段之间，用于测量脱脂清洗后的液晶盒单元（以下内容统称液晶盒）的光电特性曲线。

基于以上原因，需在硅基液晶成像芯片的生产过程中进行质量监控，其主要手段是通过特定的测试装置和测试方法获取光电特性曲线，通过光电特性曲线分析其主要技术指标。测量硅基液晶显示芯片的光电特性曲线，是业界公认的核心技术，几乎没有公开的报道和学术交流。为了保证硅基液晶成像芯片生产工艺的稳定性，提高产品总量率，必须具备高精度的测量手段。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种测量硅基液晶成像芯片光电特性曲线的装置，为保证硅基液晶成像芯片生产工艺的稳定性以及产品总量率，提供了高精度的测量手段。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种测量硅基液晶成像芯片光电特性曲线的装置，其特征在于，包括光源、光处理系统、起偏器、光阀、分光棱镜PBS、玻片、定位夹具、微调平台、光探测器、数据采集卡、驱动板、电脑；

所述光处理系统、起偏器、光阀、分光棱镜PBS、玻片按先后顺序设置在所述光源的光路上，所述玻片之后安装所述定位夹具，所述定位夹具安装在所述微调平台上，所述硅基液晶成像芯片垂直于所述光路固定在所述定位夹具上，所述硅基液晶成像芯片的反射面朝向所述玻片，所述硅基液晶成像芯片连接所述驱动板，所述驱动板连接所述电脑，所述光探测器的光探测端对准所述分光棱镜PBS反射出的S偏振光，所述光探测器通过电信号线连接所述数据采集卡，所述数据采集卡连接所述电脑。

所述定位夹具上设有真空吸盘，所述硅基液晶成像芯片通过所述真空吸盘吸附在所述定位夹具上。

所述微调平台上设有位置调整旋钮，通过所述位置调整旋钮可调整所述微调平台在垂直于所述光路的平面内的上下左右位置，也就是调整所述定位夹具及定位夹具上的所述硅基液晶成像芯片的上下左右位置，以实现对所述硅基液晶成像芯片的多点测量。

本发明还包括柔性电路板，所述柔性电路板连接所述定位夹具，所述驱动板通过柔性电路板连接所述硅基液晶成像芯片。

所述定位夹具上设有若干定位柱，所述定位柱从上、左、右三个方向定位所述硅基液晶成像芯片。

所述光阀通过的P偏振光的直径为1.5-2mm。

本发明装置的测量原理及过程为：所述光源发出自然光，进入到光处理系统，光处理系统由常规光学器件组成，对光实施处理，将自然光处理成平行光；经过光处理系统处理后的平行光进入起偏器，起偏器对光再一次处理，将光转化成P偏振光，P偏振光进入光阀，光阀用于改变P偏振光光束的直径,直径为1.5-2mm的P偏振光进入PBS，经过PBS，作为入射光进入到被测硅基液晶成像芯片上，所述硅基液晶成像芯片在所述驱动板提供驱动信号的作用下，反射出S偏振光，S偏振光再次进入PBS，S偏振光被PBS反射，进入到光探测器，光探测器采集的信号被数据采集卡获取，数据采集卡获取的信息通过数据线传输到电脑，电脑上通过软件生成该照射区域的硅基液晶成像芯片的光电特性曲线。通过分别调整微调平台的上下左右位置，分别获取所述硅基液晶成像芯片上若干个测试点的光电特性曲线。

本发明装置结构简单，成本低廉，操作方便，测量精确度高，为保证硅基液晶成像芯片生产工艺的稳定性以及产品总量率，提供了高精度的测量手段，值得推广应用。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案作进一步具体说明。

图1为本发明具体实时方式的结构图。

图2为本具体实时方式的定位夹具的主视图。