[发明专利]一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法无效
申请号: | 201110198171.6 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102867888A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 手机 壳体 制备 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
1.一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,主要包括背壳体成形,镀铝膜,刻铝膜,镀非晶硅PIN结,刻PIN结,镀透明导电极,刻透明导电极,镀增透膜工序,其特征在于:
所述背壳体成形时,将引出电极与旁路二极管与其形成一体式结构;
采用蒸发方式镀制铝膜,用以形成其背电极;
采用PECVD方式镀PIN结,用以形成光电转换单元;
采用溅射方式镀透明导电极,用以形成太阳能电池的窗口层;
采用溅射方式镀增透膜,用以增加光线的利用效率。
2.根据权利要求1所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于所述旁路二极管只有部分嵌于壳体内,以利于散热。
3.根据权利要求1所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于采用蒸发方式镀制铝膜时,其壳体可以采用常规手机壳体镀膜时的夹具,将壳体挂起并在镀膜过程中实现公自转功能。
4.根据权利要求1及权利要求3所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于采用蒸发镀铝背壳时,不需镀膜的面积要使用薄膜遮起来,以免被镀到。
5.根据权利要求1所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于采用PECVD方式镀PIN结时,可利用现有的镀PECVD设备,并在其平行电极板上面增加附加夹具。
6.根据权利要求1所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于
所述背壳体成形时,将引出电极与旁路二极管与其形成一体式结构;
采用溅射方式镀制铝膜,用以形成背电极;
采用PECVD方式镀PIN结,用以形成光电转换单元;
采用溅射方式镀透明导电极,用以形成太阳能电池的窗口层;
采用溅射方式镀增透膜,用以增加光线的利用效率。
7.根据权利要求6所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于所述旁路二极管部分嵌于壳体内,部分暴露于壳体外部,以利于散热。
8.根据权利要求6所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于采用PECVD方式镀PIN结时,可利用现有的镀PECVD设备,并在其平行电极板上面增加附加夹具。
9.根据权利要求1及权利要求6所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于所述各溅射工序皆为水平式连续镀膜,采用平板夹具。
10.根据权利要求1及权利要求6所述的一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在于所述各道划线工序采用激光划线,可利用溅射及PECVD所用夹具直接进行批量划线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的