[发明专利]一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法无效
申请号: | 201110198171.6 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102867888A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 手机 壳体 制备 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池制造领域,尤其适用于一种在手机背壳体上制造薄膜太阳能电池以形成补偿电路的工艺方法。
背景技术
利用太阳能电池作为手机的充电器,是目前太阳能电池的众多在生活上的应用之一,可以方便携带而无须担心远离电网,无法找到合适的插座等,也不必频繁地更换电池,非常方便。
然而,由于太阳能电池转换效率的限制,太阳能手机充电器往往体积较大,相对于体积越来越小,功能越来越多的小巧便携的手机,太阳能充电器有一些显得笨重携带不方便。
为了解决以上的问题,利用薄膜太阳能电池弱光性的优点和可以直接镀在手机外壳上的特点,可以生产出一种非常方便可以延长手机电池使用时间的补偿电路,从而减少需要充电的时间和次数,使手机的性能更为方便。本专利为对现有生产流程加以调整,使这种设计方案得以实现生产化,从而可以投入使用。
发明内容
发明目的:本发明是通过对现有设备及工艺条件的整合,在手机背壳上镀非晶硅薄膜太阳能电池,使之可以投入生产化使用。
技术方案:所述技术方案包括背壳体成形,镀铝膜,刻铝膜,镀非晶硅PIN结,刻PIN结,镀透明导电极,刻透明导电极,镀增透膜工序,其中所述背壳体成形时,将引出电极与旁路二极管与其形成一体式结构;采用蒸发方式镀制铝膜,用以形成其背电极;采用PECVD方式镀PIN结,用以形成光电转换单元;采用溅射方式镀透明导电极,用以形成太阳能电池的窗口层;采用溅射方式镀增透膜,用以增加光线的利用效率;三道划线工艺皆采用激光器划线。
其中一个优选方案为所述旁路二极管部分嵌于壳体内,部分暴露于壳体外部,以利于散热。
其中一个优选方案为采用蒸发方式镀制铝膜时,其壳体可以采用常规手机壳体镀膜时的夹具,将壳体挂起并在镀膜过程中实现公自转功能。其中采用蒸发镀铝背壳时,不需镀膜的面积使用薄膜遮起来,以免被镀到。
其中一个优选方案为采用PECVD方式镀PIN结时,可利用现有的镀PECVD设备,并在其平行电极板上面增加附加夹具。所镀PIN结可以为单层或者叠层,也可以是非微晶叠层或者非晶硅/非晶锗硅叠层。
其中另一个优选方案为镀铝膜可以采用溅射镀膜,精确控制镀膜厚度。
其中所述各溅射工序皆为水平式连续镀膜,采用平板夹具。
其中一个优选方案为所述各道划线工序采用激光划线,可利用溅射及PECVD所用夹具直接进行批量划线。以简化工艺。其中对于铝膜划线时,确保引出电极位于最侧面两个完整的栅条之内,防止跨接两个栅条,形成两个子电池单元同极相导通。
有益成果:本设计方案针对现有的各种设备进行整合,并增加一些新的设计,使其可以在现有设备及工艺技术的条件下,使之可以方便地应用于手机背壳体的太阳能电池补偿薄膜太阳能电池生产。由于其应用多数基于现有生产技术的整合,使这一应用不需要太多研发成本,基本可以直接进行生产线的转化应用。本方案中设计的夹具,不但可以实现各道镀膜工序的量化生产,而且可以直接运用在激光划线工艺,不需要在各道工序之间反复上下夹具,简化了工艺过程,减少了操作过程中的人为污染并节省了人工。
附图说明
附图1为一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法流程图
附图2为一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法的夹具正视图
附图3为一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法的夹具侧视图
附图4为一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法的夹具卡箍正视图
附图5为一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法的夹具卡箍侧视图
1、夹具 2、弹簧 3、支柱
具体实施方式:
所述技术方案主要包括背壳体成形,镀铝膜,刻铝膜,镀非晶硅PIN结,刻PIN结,镀透明导电极,刻透明导电极,镀增透膜工序,其中所述背壳体成形时,将引出电极与旁路二极管与其形成一体式结构;采用蒸发方式镀制铝膜,用以形成其背电极;采用PECVD方式镀PIN结,用以形成光电转换单元;采用溅射方式镀透明导电极,用以形成太阳能电池的窗口层;采用溅射方式镀增透膜,用以增加光线的利用效率;三道划线工艺皆可采用激光器划线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的