[发明专利]在玻璃基板上制备膜层的方法及其玻璃基板、膜系结构无效
| 申请号： | 201110199271.0 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351438A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 徐日宏;詹达勇;郭永飞;罗高军 | 申请（专利权）人： | 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36;C03C17/22;B32B9/04;B32B17/00 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人： | 黄莉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 基板上 制备 方法 及其 结构 | ||
1. 一种在玻璃基板上制备膜层的方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板单面或双面采用磁控溅射法生成抗反射增透混合膜层，该抗反射增透混合膜层为低折射率膜层与高折射率膜层的层叠结构；
采用磁控溅射法在所述抗反射增透混合膜层另一面生成氮化碳化合物膜层。
2. 如权利要求1所述的在玻璃基板上制备膜层的的方法，其特征在于，所述低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层或二氧化钛膜层，所述氮化碳化合物膜层为CNx膜层。
3. 如权利要求2所述的在玻璃基板上制备膜层的方法，其特征在于，所述玻璃基板上依次设置有第一五氧化二铌膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化二铌膜层、第二二氧化硅膜层及CNx膜层。
4. 如权利要求3所述的在玻璃基板上制备膜层的方法，其特征在于，所述氮化碳化合物膜层的生成条件包括：真空度5.0E-3的高真空条件、100-160摄氏度的玻璃基板温度、石墨靶直流电源、500-900瓦低溅射功率，以氩气与氮气作为主要工作气体其比例根据真空设备配置情况不同调节。
5. 如权利要求3所述的在玻璃基板上制备膜层的方法，其特征在于，所述二氧化硅膜层、五氧化二铌膜层或二氧化钛膜层的生成条件包括：真空度5.0E-3的高真空条件、100-160摄氏度的玻璃基板温度、采用中频电源、500-900瓦低溅射功率，以氩气与氧气作为主要工作气体其比例根据真空设备配置情况不同调节。
6. 一种在玻璃基板上制备膜层的方法，其特征在于，包括：在玻璃基板单面或双面采用磁控溅射法生成氮化碳化合物膜层。
7. 一种膜系结构，其特征在于，包括抗反射增透混合膜层，以及生成于该抗反射增透膜层一面的氮化碳化合物膜层，所述抗反射增透混合膜层为低折射率膜层与高折射率膜层的层叠结构。
8. 一种镀有膜层的玻璃基板，其特征在于，包括玻璃基板、采用磁控溅射法生成于该玻璃基板单面或双面的抗反射增透混合膜层，以及采用磁控溅射法在所述抗反射增透混合膜层另一面生成氮化碳化合物膜层，其中，所述抗反射增透混合膜层为低折射率膜层与高折射率膜层的层叠结构。
9. 如权利要求8所述的镀有膜层的玻璃基板，其特征在于，所述低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层或二氧化钛膜层，所述氮化碳化合物膜层为CNx膜层。
10. 一种镀有膜层的玻璃基板，其特征在于，包括玻璃基板、采用磁控溅射法生成于该玻璃基板单面或双面的氮化碳化合物膜层。
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